Інші пропозиції DG10X06T1 транзистор за ціною від 69.65 грн до 171.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DG10X06T1 | STARPOWER SEMICONDUCTOR |
 Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 19A; 196W; TO220 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 19A Power dissipation: 196W Case: TO220 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 30A Mounting: THT Gate charge: 70nC Kind of package: tube Turn-on time: 21ns Turn-off time: 208ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
на замовлення 141 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||
 |
DG10X06T1 | STARPOWER |
Description: STARPOWER - DG10X06T1 - IGBT, 25 A, 1.45 V, 196 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 196W Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 25A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DOSEMI Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| DG10X06T1 |
|
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 19A; 196W; TO220
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 19A
Power dissipation: 196W
Case: TO220
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 208ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 19A; 196W; TO220
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 19A
Power dissipation: 196W
Case: TO220
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 208ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 141 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 87.06 грн |
| 25+ | 77.94 грн |
| 100+ | 69.65 грн |
| DG10X06T1 |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - DG10X06T1 - IGBT, 25 A, 1.45 V, 196 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 196W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 25A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DOSEMI
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
Description: STARPOWER - DG10X06T1 - IGBT, 25 A, 1.45 V, 196 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 196W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 25A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DOSEMI
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 171.17 грн |
| 10+ | 105.27 грн |