Продукція > Транзистори > IGBT > DG10X06T1 транзистор

DG10X06T1 транзистор

Код товару: 221713
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > IGBT

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції DG10X06T1 транзистор за ціною від 70.45 грн до 88.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DG10X06T1 DG10X06T1 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG10X06T1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 19A; 196W; TO220
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 196W
Gate charge: 70nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 30A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 21ns
Kind of package: tube
Case: TO220
Turn-off time: 208ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 19A
на замовлення 125 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+88.06 грн
25+78.83 грн
100+70.45 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG10X06T1 DG10X06T1 STARPOWER 3410767.pdf Description: STARPOWER - DG10X06T1 - IGBT, 25 A, 1.45 V, 196 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
MSL: -
Verlustleistung: 196W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 25A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DOSEMI
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DG10X06T1 DG10X06T1.pdf
DG10X06T1
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 19A; 196W; TO220
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 196W
Gate charge: 70nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 30A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 21ns
Kind of package: tube
Case: TO220
Turn-off time: 208ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 19A
на замовлення 125 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+88.06 грн
25+78.83 грн
100+70.45 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG10X06T1 3410767.pdf
DG10X06T1
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - DG10X06T1 - IGBT, 25 A, 1.45 V, 196 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
MSL: -
Verlustleistung: 196W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 25A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DOSEMI
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

OJE-SH-112HMF,F095 реле
Код товару: 221714
Додати до обраних Обраний товар
Реле
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
0,3 Ohm 5% 2W вив. (MOR200SJTB-0R3-Hitano)
Код товару: 13879
Додати до обраних Обраний товар
MOR_080911.pdf
0,3 Ohm 5% 2W вив. (MOR200SJTB-0R3-Hitano)
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 2W
Номінал: 0,3 Ом
Точність і ТКО: ±5%
P ном., Вт: 2 Вт
U роб., В: 500 В
Габарити: 11x4,0 mm; Ø виводу = 0,76 mm
Тип: метало-оксидні мініатюрні
-55...+125°С
УКТЗЕД: 8533 21 00 00
у наявності: 872 шт
  • 616 шт - склад
  • 180 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 33 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 43 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
7+3.00 грн
10+2.50 грн
100+2.10 грн
1000+1.80 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.