Продукція > Транзистори > IGBT > DG10X06T1 транзистор

DG10X06T1 транзистор

Код товару: 221713
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > IGBT

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції DG10X06T1 транзистор за ціною від 69.65 грн до 87.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DG10X06T1 DG10X06T1 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG10X06T1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 19A; 196W; TO220
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 19A
Power dissipation: 196W
Case: TO220
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 208ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 141 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+87.06 грн
25+77.94 грн
100+69.65 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG10X06T1 DG10X06T1 STARPOWER Description: STARPOWER - DG10X06T1 - IGBT, 25 A, 1.45 V, 196 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 196W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 25A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DOSEMI
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DG10X06T1 DG10X06T1.pdf
DG10X06T1
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 19A; 196W; TO220
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 19A
Power dissipation: 196W
Case: TO220
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 208ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 141 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+87.06 грн
25+77.94 грн
100+69.65 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG10X06T1
DG10X06T1
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - DG10X06T1 - IGBT, 25 A, 1.45 V, 196 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 196W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 25A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DOSEMI
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

OJE-SH-112HMF,F095 реле
Код товару: 221714
Додати до обраних Обраний товар
Реле
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
0,3 Ohm 5% 2W вив. (MOR200SJTB-0R3-Hitano)
Код товару: 13879
Додати до обраних Обраний товар
MOR_080911.pdf
0,3 Ohm 5% 2W вив. (MOR200SJTB-0R3-Hitano)
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 2W
Номінал: 0,3 Ом
Точність і ТКО: ±5%
P ном., Вт: 2 Вт
U роб., В: 500 В
Габарити: 11x4,0 mm; Ø виводу = 0,76 mm
Тип: метало-оксидні мініатюрні
-55...+125°С
УКТЗЕД: 8533 21 00 00
у наявності: 785 шт
  • 590 шт - склад
  • 95 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 50 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 50 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 141 шт
  • 141 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+3.00 грн
10+2.50 грн
100+2.10 грн
1000+1.80 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.