DG10X06T1 STARPOWER
Виробник: STARPOWERDescription: STARPOWER - DG10X06T1 - IGBT, 25 A, 1.45 V, 196 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 196W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DOSEMI
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 25A
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 138.2 грн |
| 10+ | 102.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DG10X06T1 STARPOWER
Description: STARPOWER - DG10X06T1 - IGBT, 25 A, 1.45 V, 196 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 196W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: DOSEMI, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 25A.
Інші пропозиції DG10X06T1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
DG10X06T1 | Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 19A; 196W; TO220 Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 19A Pulsed collector current: 30A Turn-on time: 21ns Turn-off time: 208ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 196W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 70nC Mounting: THT Case: TO220 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
|
|
DG10X06T1 | Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 19A; 196W; TO220 Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 19A Pulsed collector current: 30A Turn-on time: 21ns Turn-off time: 208ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 196W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 70nC Mounting: THT Case: TO220 |
товар відсутній |