DG10X06T1

DG10X06T1 STARPOWER SEMICONDUCTOR


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C6484EB574C0D4&compId=DG10X06T1.pdf?ci_sign=e74a3e5fc8e59284f1848f0f7d33e99b8ccad0e1 Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 19A; 196W; TO220
Case: TO220
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 19A
Pulsed collector current: 30A
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 208ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 196W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 70nC
Mounting: THT
на замовлення 88 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+88.49 грн
14+69.36 грн
38+65.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DG10X06T1 STARPOWER SEMICONDUCTOR

Description: STARPOWER - DG10X06T1 - IGBT, 25 A, 1.45 V, 196 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 196W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: DOSEMI, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 25A, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції DG10X06T1 за ціною від 78.45 грн до 169.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DG10X06T1 DG10X06T1 Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C6484EB574C0D4&compId=DG10X06T1.pdf?ci_sign=e74a3e5fc8e59284f1848f0f7d33e99b8ccad0e1 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 19A; 196W; TO220
Case: TO220
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 19A
Pulsed collector current: 30A
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 208ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 196W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 70nC
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 88 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+126.72 грн
5+110.27 грн
14+83.23 грн
38+78.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DG10X06T1 DG10X06T1 Виробник : STARPOWER 3410767.pdf Description: STARPOWER - DG10X06T1 - IGBT, 25 A, 1.45 V, 196 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 196W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DOSEMI
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 25A
SVHC: To Be Advised
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+169.13 грн
10+129.64 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.