
DG10X06T1 STARPOWER SEMICONDUCTOR

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 19A; 196W; TO220
Case: TO220
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 19A
Pulsed collector current: 30A
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 208ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 196W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 70nC
Mounting: THT
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 88.49 грн |
14+ | 69.36 грн |
38+ | 65.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DG10X06T1 STARPOWER SEMICONDUCTOR
Description: STARPOWER - DG10X06T1 - IGBT, 25 A, 1.45 V, 196 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 196W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: DOSEMI, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 25A, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції DG10X06T1 за ціною від 78.45 грн до 169.13 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DG10X06T1 | Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 19A; 196W; TO220 Case: TO220 Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 19A Pulsed collector current: 30A Turn-on time: 21ns Turn-off time: 208ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 196W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 70nC Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 88 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
DG10X06T1 | Виробник : STARPOWER |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 196W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DOSEMI Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 25A SVHC: To Be Advised |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|