
DG10X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 10A; 96W; TO247
Case: TO247
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 30A
Turn-on time: 37ns
Turn-off time: 493ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 96W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 80nC
Mounting: THT
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 148.49 грн |
8+ | 116.10 грн |
22+ | 109.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DG10X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR
Description: STARPOWER - DG10X12T2 - IGBT, 20 A, 1.7 V, 96 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 96W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 20A, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції DG10X12T2 за ціною від 131.74 грн до 325.77 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DG10X12T2 | Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: IGBT; 1200V; 10A; 96W; TO247 Case: TO247 Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 10A Pulsed collector current: 30A Turn-on time: 37ns Turn-off time: 493ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 96W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 80nC Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
DG10X12T2 | Виробник : STARPOWER |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 96W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 20A SVHC: To Be Advised |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
DG10X12T2 Код товару: 206741
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > IGBT |
товару немає в наявності
|