Продукція > STARPOWER SEMICONDUCTOR > DG10X12T2
DG10X12T2

DG10X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C646A0547600D4&compId=DG10X12T2.pdf?ci_sign=ecd5c06c4b9ccf4014b899a48a55efbdce6a038f Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 10A; 96W; TO247
Case: TO247
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 30A
Turn-on time: 37ns
Turn-off time: 493ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 96W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 80nC
Mounting: THT
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+147.78 грн
8+115.55 грн
22+109.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DG10X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR

Description: STARPOWER - DG10X12T2 - IGBT, 20 A, 1.7 V, 96 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 96W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 20A, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції DG10X12T2 за ціною від 131.11 грн до 324.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DG10X12T2 DG10X12T2 Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C646A0547600D4&compId=DG10X12T2.pdf?ci_sign=ecd5c06c4b9ccf4014b899a48a55efbdce6a038f Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 10A; 96W; TO247
Case: TO247
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 30A
Turn-on time: 37ns
Turn-off time: 493ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 96W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 80nC
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+213.32 грн
3+184.15 грн
8+138.66 грн
22+131.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG10X12T2 DG10X12T2 Виробник : STARPOWER 3743020.pdf Description: STARPOWER - DG10X12T2 - IGBT, 20 A, 1.7 V, 96 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 20A
SVHC: To Be Advised
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+324.21 грн
10+248.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DG10X12T2
Код товару: 206741
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.