DG120X07T2

DG120X07T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C64524979DA0D4&compId=DG120X07T2.pdf?ci_sign=88e3bac2f6a70efad72a5d89b63c0abcb48a06c2 Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 120A; 893W; TO247PLUS
Case: TO247PLUS
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 360A
Turn-on time: 282ns
Turn-off time: 334ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 893W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.86µC
Mounting: THT
на замовлення 37 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+905.02 грн
2+590.00 грн
5+557.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DG120X07T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR

Description: STARPOWER - DG120X07T2 - IGBT, 240 A, 1.3 V, 1.25 kW, 650 V, TO-247 Plus, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.3V, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25kW, Bauform - Transistor: TO-247 Plus, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: DOSEMI Trench, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 240A, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції DG120X07T2 за ціною від 669.14 грн до 1129.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DG120X07T2 DG120X07T2 Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C64524979DA0D4&compId=DG120X07T2.pdf?ci_sign=88e3bac2f6a70efad72a5d89b63c0abcb48a06c2 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 120A; 893W; TO247PLUS
Case: TO247PLUS
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 360A
Turn-on time: 282ns
Turn-off time: 334ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 893W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.86µC
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1086.02 грн
2+735.23 грн
5+669.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG120X07T2 DG120X07T2 Виробник : STARPOWER 3410781.pdf Description: STARPOWER - DG120X07T2 - IGBT, 240 A, 1.3 V, 1.25 kW, 650 V, TO-247 Plus, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.3V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25kW
Bauform - Transistor: TO-247 Plus
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DOSEMI Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 240A
SVHC: To Be Advised
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1129.57 грн
5+987.52 грн
10+793.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.