DG120X07T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 120A; 893W; TO247PLUS
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 360A
Turn-on time: 282ns
Turn-off time: 334ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 893W
Case: TO247PLUS
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.86µC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 120A; 893W; TO247PLUS
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 360A
Turn-on time: 282ns
Turn-off time: 334ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 893W
Case: TO247PLUS
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.86µC
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 794.85 грн |
2+ | 518.18 грн |
5+ | 489.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DG120X07T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR
Description: STARPOWER - DG120X07T2 - IGBT, 240 A, 1.3 V, 1.25 kW, 650 V, TO-247 Plus, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.3V, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25kW, Bauform - Transistor: TO-247 Plus, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: DOSEMI Trench, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 240A, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Інші пропозиції DG120X07T2 за ціною від 587.69 грн до 1057.81 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DG120X07T2 | Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 120A; 893W; TO247PLUS Collector-emitter voltage: 650V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 120A Pulsed collector current: 360A Turn-on time: 282ns Turn-off time: 334ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 893W Case: TO247PLUS Kind of package: tube Mounting: THT Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 0.86µC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 18 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
DG120X07T2 | Виробник : STARPOWER |
Description: STARPOWER - DG120X07T2 - IGBT, 240 A, 1.3 V, 1.25 kW, 650 V, TO-247 Plus, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.3V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25kW Bauform - Transistor: TO-247 Plus Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DOSEMI Trench Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 240A SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|