Продукція > STARPOWER SEMICONDUCTOR > DG15X06T1
DG15X06T1

DG15X06T1 STARPOWER SEMICONDUCTOR

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C642DCA1B300D4&compId=DG15X06T1.pdf?ci_sign=876820dedc19a450799f56e67c2e1180ba064286 Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 24A; 235W; TO220
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 24A
Power dissipation: 235W
Case: TO220
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 23ns
Turn-off time: 208ns
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+116.42 грн
5+97.62 грн
25+86.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DG15X06T1 STARPOWER SEMICONDUCTOR

Description: STARPOWER - DG15X06T1 - IGBT, 27 A, 1.45 V, 235 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 235W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: DOSEMI, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 27A, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції DG15X06T1 за ціною від 92.94 грн до 139.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DG15X06T1 DG15X06T1 Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C642DCA1B300D4&compId=DG15X06T1.pdf?ci_sign=876820dedc19a450799f56e67c2e1180ba064286 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 24A; 235W; TO220
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 24A
Power dissipation: 235W
Case: TO220
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 23ns
Turn-off time: 208ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+139.71 грн
5+121.65 грн
25+103.59 грн
100+92.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DG15X06T1 DG15X06T1 Виробник : STARPOWER 3410768.pdf Description: STARPOWER - DG15X06T1 - IGBT, 27 A, 1.45 V, 235 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 235W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DOSEMI
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 27A
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DG15X06T1
Код товару: 194227
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.