DG15X12T2

DG15X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C63FD0921D40D4&compId=DG15X12T2.pdf?ci_sign=e5c8d43ca9deaa23c0fbb3b143eff915b977438a Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 15A; 138W; TO247
Collector current: 15A
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 103ns
Turn-off time: 484ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 138W
Kind of package: tube
на замовлення 23 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+216.05 грн
3+180.08 грн
7+141.38 грн
19+133.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DG15X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR

Description: STARPOWER - DG15X12T2 - IGBT, 30 A, 1.75 V, 138 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 138W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: DOSEMI Trench, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції DG15X12T2 за ціною від 160.18 грн до 259.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DG15X12T2 DG15X12T2 Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C63FD0921D40D4&compId=DG15X12T2.pdf?ci_sign=e5c8d43ca9deaa23c0fbb3b143eff915b977438a Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 15A; 138W; TO247
Collector current: 15A
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 103ns
Turn-off time: 484ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 138W
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+259.26 грн
3+224.41 грн
7+169.65 грн
19+160.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG15X12T2 DG15X12T2 Виробник : STARPOWER 3410777.pdf Description: STARPOWER - DG15X12T2 - IGBT, 30 A, 1.75 V, 138 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 138W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DOSEMI Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.