DG25X12T2

DG25X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C63B98B30BE0D4&compId=DG25X12T2.pdf?ci_sign=098cf3c95acc80f0e6870264e6d93ea9eef58270 Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 25A; 348W; TO247
Collector current: 25A
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.19µC
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 362ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 348W
Kind of package: tube
на замовлення 65 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+301.96 грн
3+251.95 грн
5+197.46 грн
13+186.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DG25X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR

Description: STARPOWER - DG25X12T2 - IGBT, 50 A, 1.7 V, 573 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 573W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: DOSEMI Trench, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції DG25X12T2 за ціною від 223.68 грн до 381.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DG25X12T2 DG25X12T2 Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C63B98B30BE0D4&compId=DG25X12T2.pdf?ci_sign=098cf3c95acc80f0e6870264e6d93ea9eef58270 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 25A; 348W; TO247
Collector current: 25A
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.19µC
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 362ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 348W
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+362.35 грн
3+313.97 грн
5+236.95 грн
13+223.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG25X12T2 DG25X12T2 Виробник : STARPOWER 3550990.pdf Description: STARPOWER - DG25X12T2 - IGBT, 50 A, 1.7 V, 573 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 573W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DOSEMI Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A
SVHC: To Be Advised
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+381.06 грн
10+333.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.