Продукція > Транзистори > IGBT > DG25X12T2

DG25X12T2

Код товару: 213154
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > IGBT

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції DG25X12T2 за ціною від 200.90 грн до 303.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DG25X12T2 DG25X12T2 Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR DG25X12T2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 25A; 348W; TO247
Case: TO247
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Gate charge: 0.19µC
Turn-off time: 362ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Power dissipation: 348W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Type of transistor: IGBT
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+303.79 грн
3+252.79 грн
10+223.50 грн
30+200.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG25X12T2 DG25X12T2 Виробник : STARPOWER 3550990.pdf Description: STARPOWER - DG25X12T2 - IGBT, 50 A, 1.7 V, 573 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 573W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DOSEMI Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.