Продукція > Транзистори > IGBT > DG25X12T2

DG25X12T2

Код товару: 213154
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > IGBT

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції DG25X12T2 за ціною від 201.28 грн до 304.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DG25X12T2 DG25X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG25X12T2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 25A; 348W; TO247
Collector current: 25A
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 362ns
Power dissipation: 348W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Turn-on time: 36ns
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+304.37 грн
3+253.27 грн
10+223.92 грн
30+201.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG25X12T2 DG25X12T2 STARPOWER 3550990.pdf Description: STARPOWER - DG25X12T2 - IGBT, 50 A, 1.7 V, 573 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 573W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DOSEMI Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DG25X12T2 DG25X12T2.pdf
DG25X12T2
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 25A; 348W; TO247
Collector current: 25A
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 362ns
Power dissipation: 348W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Turn-on time: 36ns
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+304.37 грн
3+253.27 грн
10+223.92 грн
30+201.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG25X12T2 3550990.pdf
DG25X12T2
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - DG25X12T2 - IGBT, 50 A, 1.7 V, 573 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 573W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DOSEMI Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.