Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції DG25X12T2 за ціною від 201.88 грн до 365.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DG25X12T2 | Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
 Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 1200V; 25A; 348W; TO247 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 25A Power dissipation: 348W Case: TO247 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 75A Mounting: THT Gate charge: 0.19µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-on time: 36ns Turn-off time: 362ns |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
DG25X12T2 | Виробник : STARPOWER |
Description: STARPOWER - DG25X12T2 - IGBT, 50 A, 1.7 V, 573 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 573W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 50A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DOSEMI Trench Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|