DG30X07T2

DG30X07T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C639AA51DB80D4&compId=DG30X07T2.pdf?ci_sign=bd9d8a97e8122413787286bba2e475272fca5aba Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 208W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 208W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 0.22µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 0.1µs
Turn-off time: 306ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 64 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+165.07 грн
8+128.13 грн
20+121.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DG30X07T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR

Description: STARPOWER - DG30X07T2 - IGBT, 60 A, 1.5 V, 208 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 208W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: DOSEMI, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A.

Інші пропозиції DG30X07T2 за ціною від 145.26 грн до 286.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DG30X07T2 DG30X07T2 Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C639AA51DB80D4&compId=DG30X07T2.pdf?ci_sign=bd9d8a97e8122413787286bba2e475272fca5aba Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 208W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 208W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 0.22µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 0.1µs
Turn-off time: 306ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 64 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+237.70 грн
3+205.70 грн
8+153.75 грн
20+145.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG30X07T2 DG30X07T2 Виробник : STARPOWER 3410773.pdf Description: STARPOWER - DG30X07T2 - IGBT, 60 A, 1.5 V, 208 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DOSEMI
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+286.97 грн
10+212.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.