DG30X07T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 208W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 208W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 0.22µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 0.1µs
Turn-off time: 306ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 167.01 грн |
| 10+ | 147.71 грн |
| 30+ | 132.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DG30X07T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR
Description: STARPOWER - DG30X07T2 - IGBT, 60 A, 1.5 V, 208 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 208W, Bauform - Transistor: TO-247, Dauerkollektorstrom: 60A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: DOSEMI, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції DG30X07T2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
DG30X07T2 | Виробник : STARPOWER |
Description: STARPOWER - DG30X07T2 - IGBT, 60 A, 1.5 V, 208 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 208W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 60A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DOSEMI Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |