DG40X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 40A; 468W; TO247
Collector current: 40A
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.27µC
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 198ns
Turn-off time: 668ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 468W
Kind of package: tube
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 392.12 грн |
| 3+ | 327.78 грн |
| 4+ | 256.69 грн |
| 10+ | 242.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DG40X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR
Description: STARPOWER - DG40X12T2 - IGBT, 80 A, 1.75 V, 487 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 487W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: DOSEMI Trench, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції DG40X12T2 за ціною від 290.97 грн до 470.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DG40X12T2 | Виробник : STARPOWER |
Description: STARPOWER - DG40X12T2 - IGBT, 80 A, 1.75 V, 487 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 487W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DOSEMI Trench Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: To Be Advised |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
DG40X12T2 | Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1200V; 40A; 468W; TO247 Collector current: 40A Case: TO247 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 0.27µC Mounting: THT Collector-emitter voltage: 1.2kV Turn-on time: 198ns Turn-off time: 668ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 468W Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 45 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|