DG50Q12T2

DG50Q12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C62EFFA990C0D4&compId=DG50Q12T2.pdf?ci_sign=b66a8abf62024bfe57e6791d6c2f069f0650b673 Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 50A; 672W; TO247PLUS
Collector current: 50A
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.37µC
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 172ns
Turn-off time: 338ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 672W
Kind of package: tube
на замовлення 27 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+688.54 грн
3+449.62 грн
6+424.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DG50Q12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR

Description: STARPOWER - DG50Q12T2 - IGBT, 100 A, 2 V, 672 W, 1.2 kV, TO-247 Plus, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 672W, Bauform - Transistor: TO-247 Plus, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: DOSEMI Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100A, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції DG50Q12T2 за ціною від 509.89 грн до 890.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DG50Q12T2 DG50Q12T2 Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C62EFFA990C0D4&compId=DG50Q12T2.pdf?ci_sign=b66a8abf62024bfe57e6791d6c2f069f0650b673 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 50A; 672W; TO247PLUS
Collector current: 50A
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.37µC
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 172ns
Turn-off time: 338ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 672W
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+826.25 грн
3+560.30 грн
6+509.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG50Q12T2 DG50Q12T2 Виробник : STARPOWER Description: STARPOWER - DG50Q12T2 - IGBT, 100 A, 2 V, 672 W, 1.2 kV, TO-247 Plus, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 672W
Bauform - Transistor: TO-247 Plus
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DOSEMI Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100A
SVHC: To Be Advised
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+890.30 грн
5+775.25 грн
10+631.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.