DG50X07T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 714W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 714W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-off time: 200ns
Gate charge: 0.35µC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 150A
Turn-on time: 36ns
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 293.29 грн |
| 3+ | 245.11 грн |
| 5+ | 197.24 грн |
| 14+ | 186.51 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
14-30 дні (днів)
Мінімальна партія:
2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DG50X07T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR
Description: STARPOWER - DG50X07T2 - IGBT, 100 A, 1.45 V, 714 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V, MSL: -, Verlustleistung: 714W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-247, Dauerkollektorstrom: 100A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: DOSEMI Trench, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції DG50X07T2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
DG50X07T2 | STARPOWER |
Description: STARPOWER - DG50X07T2 - IGBT, 100 A, 1.45 V, 714 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V MSL: - Verlustleistung: 714W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 100A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DOSEMI Trench Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| DG50X07T2 |
|
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - DG50X07T2 - IGBT, 100 A, 1.45 V, 714 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
MSL: -
Verlustleistung: 714W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 100A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DOSEMI Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: STARPOWER - DG50X07T2 - IGBT, 100 A, 1.45 V, 714 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
MSL: -
Verlustleistung: 714W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 100A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DOSEMI Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)