Продукція > STARPOWER SEMICONDUCTOR > DG75X07T2L
DG75X07T2L

DG75X07T2L STARPOWER SEMICONDUCTOR

DG75X07T2L.pdf
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 428W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 428W
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 0.52µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 264ns
Turn-off time: 369ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+508.06 грн
5+424.51 грн
25+375.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DG75X07T2L STARPOWER SEMICONDUCTOR

Description: STARPOWER - DG75X07T2L - IGBT, 150 A, 1.5 V, 980 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 980W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: DOSEMI Trench, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 150A, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції DG75X07T2L

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DG75X07T2L DG75X07T2L STARPOWER 3541915.pdf Description: STARPOWER - DG75X07T2L - IGBT, 150 A, 1.5 V, 980 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 980W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DOSEMI Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 150A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DG75X07T2L 3541915.pdf
DG75X07T2L
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - DG75X07T2L - IGBT, 150 A, 1.5 V, 980 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 980W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DOSEMI Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 150A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.