DGD1003FTA-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8VDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 150 V
Supplier Device Package: V-DFN3035-8
Rise / Fall Time (Typ): 70ns, 35ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 600mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 15.77 грн |
| 10000+ | 14.83 грн |
| 15000+ | 14.65 грн |
| 25000+ | 13.56 грн |
| 35000+ | 13.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DGD1003FTA-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DGD1003FTA-13 - MOSFET-Treiber Halbbrücke 680ns Verzögerung, 10V-20V Versorgung, 600mA, V-DFN3035-8, -40°C bis 125°C, tariffCode: 85412900, Sinkstrom: 600mA, Treiberkonfiguration: Halbbrücke, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: V-DFN3035, Eingang: Invertierend, MSL: -, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 2Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 290mA, Versorgungsspannung, min.: 10V, euEccn: NLR, Gate-Treiber: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 20V, Eingabeverzögerung: 680ns, Ausgabeverzögerung: 150ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції DGD1003FTA-13 за ціною від 14.42 грн до 44.20 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DGD1003FTA-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DGD1003FTA-13 - MOSFET-Treiber Halbbrücke 680ns Verzögerung, 10V-20V Versorgung, 600mA, V-DFN3035-8, -40°C bis 125°C tariffCode: 85412900 Sinkstrom: 600mA Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: V-DFN3035 Eingang: Invertierend MSL: - usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 290mA Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 680ns Ausgabeverzögerung: 150ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 4416 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DGD1003FTA-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8VDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-VDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 150 V Supplier Device Package: V-DFN3035-8 Rise / Fall Time (Typ): 70ns, 35ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel) Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 600mA DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 124227 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
DGD1003FTA-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Gate Drivers HV Gate Driver V-DFN3035-8(Type A) T&R 5K |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DGD1003FTA-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DGD1003FTA-13 - MOSFET-Treiber Halbbrücke 680ns Verzögerung, 10V-20V Versorgung, 600mA, V-DFN3035-8, -40°C bis 125°C tariffCode: 85412900 Sinkstrom: 600mA Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: V-DFN3035 Eingang: Invertierend MSL: - usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 290mA Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 680ns Ausgabeverzögerung: 150ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 4416 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| DGD1003FTA-13 | Виробник : Diodes Inc |
Half-Bridge Gate Driver |
товару немає в наявності |