DGD1503S8-13 Diodes Incorporated


DIOD_S_A0009027113_1-2512823.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Gate Drivers HV Gate Driver
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Технічний опис DGD1503S8-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DGD1503S8-13 - IGBT/MOSFET-Gate-Treiber, Halbbrücke, 10V-20V Versorgungsspannung, 680ns/150ns Verzögerung, SOIC-8, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 600mA, Treiberkonfiguration: Halbbrücke, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: Invertierend, nicht invertierend, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 2Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 290mA, Versorgungsspannung, min.: 10V, euEccn: NLR, Gate-Treiber: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 20V, Eingabeverzögerung: 680ns, Ausgabeverzögerung: 150ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

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DGD1503S8-13 DGD1503S8-13 DIODES INC. DGD1503.pdf Description: DIODES INC. - DGD1503S8-13 - IGBT/MOSFET-Gate-Treiber, Halbbrücke, 10V-20V Versorgungsspannung, 680ns/150ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 600mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 680ns
Ausgabeverzögerung: 150ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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DGD1503S8-13 DGD1503S8-13 DIODES INC. DGD1503.pdf Description: DIODES INC. - DGD1503S8-13 - IGBT/MOSFET-Gate-Treiber, Halbbrücke, 10V-20V Versorgungsspannung, 680ns/150ns Verzögerung, SOIC-8
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Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
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Betriebstemperatur, min.: -40°C
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Versorgungsspannung, min.: 10V
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Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 680ns
Ausgabeverzögerung: 150ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
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DGD1503S8-13 DGD1503.pdf
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DGD1503S8-13 - IGBT/MOSFET-Gate-Treiber, Halbbrücke, 10V-20V Versorgungsspannung, 680ns/150ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
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Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
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IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
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euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
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Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 680ns
Ausgabeverzögerung: 150ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1860 шт:
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Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DGD1503S8-13 - IGBT/MOSFET-Gate-Treiber, Halbbrücke, 10V-20V Versorgungsspannung, 680ns/150ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 600mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
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Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
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Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
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Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
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Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 680ns
Ausgabeverzögerung: 150ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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Мінімальне замовлення: 500 шт
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