DGD2005S8-13

DGD2005S8-13 Diodes Incorporated


DGD2005.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC GATE DRV HALF-BRIDGE 8SO 2.5K
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 200 V
Supplier Device Package: 8-SO
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 35ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.6V, 2.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 600mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 12500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+27.00 грн
5000+24.01 грн
7500+23.01 грн
12500+21.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DGD2005S8-13 Diodes Incorporated

Description: IC GATE DRV HALF-BRIDGE 8SO 2.5K, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Voltage - Supply: 10V ~ 20V, Input Type: Non-Inverting, High Side Voltage - Max (Bootstrap): 200 V, Supplier Device Package: 8-SO, Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 35ns, Channel Type: Independent, Driven Configuration: Half-Bridge, Number of Drivers: 2, Gate Type: MOSFET (N-Channel), Logic Voltage - VIL, VIH: 0.6V, 2.5V, Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 600mA, Part Status: Active, DigiKey Programmable: Not Verified.

Інші пропозиції DGD2005S8-13 за ціною від 25.69 грн до 107.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DGD2005S8-13 DGD2005S8-13 Виробник : Diodes Inc dgd2005.pdf Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Automotive 8-Pin SO T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+29.03 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DGD2005S8-13 DGD2005S8-13 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0012366283_1-2543649.pdf Gate Drivers HV Gate Driver
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+98.47 грн
10+61.27 грн
100+37.58 грн
500+34.27 грн
1000+31.48 грн
2500+28.18 грн
5000+25.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DGD2005S8-13 DGD2005S8-13 Виробник : Diodes Incorporated DGD2005.pdf Description: IC GATE DRV HALF-BRIDGE 8SO 2.5K
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 200 V
Supplier Device Package: 8-SO
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 35ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.6V, 2.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 600mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 13089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+107.97 грн
10+63.83 грн
25+53.42 грн
100+39.04 грн
250+33.59 грн
500+30.24 грн
1000+26.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DGD2005S8-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DGD2005.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Output current: -600...290mA
Type of integrated circuit: driver
Impulse rise time: 220ns
Pulse fall time: 80ns
Number of channels: 1
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Operating temperature: -40...125°C
Supply voltage: 10...20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DGD2005S8-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DGD2005.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Output current: -600...290mA
Type of integrated circuit: driver
Impulse rise time: 220ns
Pulse fall time: 80ns
Number of channels: 1
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Operating temperature: -40...125°C
Supply voltage: 10...20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.