DGD2103MS8-13

DGD2103MS8-13 DIODES INC.


DGD2103M.pdf
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DGD2103MS8-13 - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V bis 20V Versorgung, 0.6Aout, 35ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 600mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 70ns
Ausgabeverzögerung: 35ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 418 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+47.96 грн
250+42.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DGD2103MS8-13 DIODES INC.

Description: DIODES INC. - DGD2103MS8-13 - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V bis 20V Versorgung, 0.6Aout, 35ns Verzögerung, SOIC-8, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 600mA, Treiberkonfiguration: Halbbrücke, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: Invertierend, nicht invertierend, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 2Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 290mA, Versorgungsspannung, min.: 10V, euEccn: NLR, Gate-Treiber: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 20V, Eingabeverzögerung: 70ns, Ausgabeverzögerung: 35ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції DGD2103MS8-13 за ціною від 29.14 грн до 78.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DGD2103MS8-13 DGD2103MS8-13 Виробник : Diodes Incorporated DGD2103M.pdf Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Inverting, Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SO
Rise / Fall Time (Typ): 70ns, 35ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 600mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.03 грн
10+48.12 грн
25+43.42 грн
100+35.91 грн
250+33.60 грн
500+32.21 грн
1000+30.83 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DGD2103MS8-13 DGD2103MS8-13 Виробник : Diodes Incorporated DGD2103M.pdf Gate Drivers HV Gate Driver
на замовлення 1821 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.69 грн
10+50.19 грн
25+39.39 грн
100+34.72 грн
250+32.49 грн
500+31.17 грн
1000+29.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DGD2103MS8-13 DGD2103MS8-13 Виробник : DIODES INC. DGD2103M.pdf Description: DIODES INC. - DGD2103MS8-13 - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V bis 20V Versorgung, 0.6Aout, 35ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 600mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 70ns
Ausgabeverzögerung: 35ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+78.33 грн
15+56.45 грн
50+50.92 грн
100+41.69 грн
250+36.05 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DGD2103MS8-13 DGD2103MS8-13 Виробник : Diodes Incorporated DGD2103M.pdf Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Inverting, Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SO
Rise / Fall Time (Typ): 70ns, 35ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 600mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.