DGD2106MS8-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC GATE DRV HALF-BRIDGE 8SO 2.5K
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SO
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 35ns
Channel Type: Synchronous
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.6V, 2.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 600mA
DigiKey Programmable: Not Verified
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 57.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DGD2106MS8-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DGD2106MS8-13 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: -, Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: Logik, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 2Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: -, Versorgungsspannung, min.: 10V, euEccn: NLR, Bauform - Treiber: SOIC, Gate-Treiber: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 20V, Eingabeverzögerung: 100ns, Ausgabeverzögerung: 100ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції DGD2106MS8-13 за ціною від 51.64 грн до 116.30 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DGD2106MS8-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DGD2106MS8-13 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: - Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Logik MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: - Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Bauform - Treiber: SOIC Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 100ns Ausgabeverzögerung: 100ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 4863 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DGD2106MS8-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DGD2106MS8-13 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: - Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Logik MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: - Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 100ns Ausgabeverzögerung: 100ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 4863 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DGD2106MS8-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: IC GATE DRV HALF-BRIDGE 8SO 2.5K Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-SO Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 35ns Channel Type: Synchronous Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel) Logic Voltage - VIL, VIH: 0.6V, 2.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 600mA DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
DGD2106MS8-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Gate Drivers HV Gate Driver |
на замовлення 2212 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
DGD2106MS8-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO8; -600÷290mA Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: SO8 Output current: -600...290mA Number of channels: 2 Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Impulse rise time: 220ns Pulse fall time: 80ns Kind of package: reel; tape Protection: undervoltage UVP Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality Supply voltage: 10...20V DC Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge Voltage class: 600V |
товару немає в наявності |