DGD2113S16-13 Diodes Incorporated


DGD2110-2113.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 16-SO
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 13ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 6V, 9.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 2.5A, 2.5A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+80.98 грн
3000+73.75 грн
4500+71.61 грн
7500+64.97 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DGD2113S16-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DGD2113S16-13 - MOSFET- / IGBT-Treiber, High-Side und Low-Side, 10V bis 20V, SOIC-16, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 2.5A, Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: Nicht invertierend, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 2Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 2.5A, Versorgungsspannung, min.: 10V, euEccn: NLR, Gate-Treiber: -, Anzahl der Pins: 16Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 20V, Eingabeverzögerung: 105ns, Ausgabeverzögerung: 94ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції DGD2113S16-13 за ціною від 81.21 грн до 235.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DGD2113S16-13 DGD2113S16-13 Diodes Incorporated DGD2110-2113.pdf Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 16-SO
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 13ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 6V, 9.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 2.5A, 2.5A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 15865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+235.54 грн
10+148.10 грн
25+127.61 грн
100+98.15 грн
250+87.63 грн
500+81.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DGD2113S16-13 DGD2113S16-13 DIODES INC. 2113215.pdf Description: DIODES INC. - DGD2113S16-13 - MOSFET- / IGBT-Treiber, High-Side und Low-Side, 10V bis 20V, SOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 105ns
Ausgabeverzögerung: 94ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DGD2113S16-13 DGD2113S16-13 DIODES INC. 2113215.pdf Description: DIODES INC. - DGD2113S16-13 - MOSFET- / IGBT-Treiber, High-Side und Low-Side, 10V bis 20V, SOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 105ns
Ausgabeverzögerung: 94ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DGD2113S16-13 DGD2110-2113.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 16-SO
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 13ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 6V, 9.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 2.5A, 2.5A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 15865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+235.54 грн
10+148.10 грн
25+127.61 грн
100+98.15 грн
250+87.63 грн
500+81.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DGD2113S16-13 2113215.pdf
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DGD2113S16-13 - MOSFET- / IGBT-Treiber, High-Side und Low-Side, 10V bis 20V, SOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 105ns
Ausgabeverzögerung: 94ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DGD2113S16-13 2113215.pdf
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DGD2113S16-13 - MOSFET- / IGBT-Treiber, High-Side und Low-Side, 10V bis 20V, SOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 105ns
Ausgabeverzögerung: 94ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.