Інші пропозиції DGD2190MS8-13 за ціною від 49.44 грн до 112.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DGD2190MS8-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: IC GATE DRV HALF-BRIDGE 8SO 2.5KPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-SO Rise / Fall Time (Typ): 25ns, 20ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel) Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 4.5A, 4.5A Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
DGD2190MS8-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DGD2190MS8-13 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 4.5A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Logik MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 4.5A Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Bauform - Treiber: SOIC Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 140ns Ausgabeverzögerung: 140ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 12156 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DGD2190MS8-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: IC GATE DRV HALF-BRIDGE 8SO 2.5K Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-SO Rise / Fall Time (Typ): 25ns, 20ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel) Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 4.5A, 4.5A Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 2708 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
DGD2190MS8-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Gate Drivers HV Gate Driver |
на замовлення 2346 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DGD2190MS8-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DGD2190MS8-13 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 4.5A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Logik MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 4.5A Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 140ns Ausgabeverzögerung: 140ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 12156 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|