DGD2190MS8-13

DGD2190MS8-13 Diodes Incorporated


DGD2190M.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC GATE DRV HALF-BRIDGE 8SO 2.5K
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SO
Rise / Fall Time (Typ): 25ns, 20ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 4.5A, 4.5A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 12500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+53.37 грн
5000+50.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DGD2190MS8-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DGD2190MS8-13 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 4.5A, Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: Logik, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 2Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 4.5A, Versorgungsspannung, min.: 10V, euEccn: NLR, Bauform - Treiber: SOIC, Gate-Treiber: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 20V, Eingabeverzögerung: 140ns, Ausgabeverzögerung: 140ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції DGD2190MS8-13 за ціною від 51.94 грн до 201.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DGD2190MS8-13 DGD2190MS8-13 Виробник : DIODES INC. 3565092.pdf Description: DIODES INC. - DGD2190MS8-13 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 4.5A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 140ns
Ausgabeverzögerung: 140ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 14080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+73.11 грн
250+58.64 грн
500+53.34 грн
1000+53.05 грн
2500+52.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DGD2190MS8-13 DGD2190MS8-13 Виробник : Diodes Incorporated DGD2190M.pdf Description: IC GATE DRV HALF-BRIDGE 8SO 2.5K
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SO
Rise / Fall Time (Typ): 25ns, 20ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 4.5A, 4.5A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 13058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+190.99 грн
10+115.95 грн
25+98.12 грн
100+73.17 грн
250+63.89 грн
500+58.17 грн
1000+52.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DGD2190MS8-13 DGD2190MS8-13 Виробник : DIODES INC. 3565092.pdf Description: DIODES INC. - DGD2190MS8-13 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 4.5A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 140ns
Ausgabeverzögerung: 140ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 14080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+201.37 грн
10+109.76 грн
50+94.08 грн
100+73.11 грн
250+58.64 грн
500+53.34 грн
1000+53.05 грн
2500+52.70 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DGD2190MS8-13 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0009691405_1-2543341.pdf Gate Drivers HV Gate Driver
на замовлення 5372 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+135.61 грн
10+113.37 грн
100+80.19 грн
250+70.48 грн
500+64.96 грн
1000+57.09 грн
2500+51.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DGD2190MS8-13
Код товару: 189625
Додати до обраних Обраний товар

DGD2190M.pdf Мікросхеми > Драйвери транзисторів
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DGD2190MS8-13 DGD2190MS8-13 Виробник : Diodes Inc dgd2190m.pdf HIGH-SIDE AND LOW-SIDE GATE DRIVER IN SO-8 (Type TH)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DGD2190MS8-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DGD2190M.pdf DGD2190MS8-13 MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DGD2190MS8-13 DGD2190MS8-13 Виробник : Diodes Zetex dgd2190m.pdf HIGH-SIDE AND LOW-SIDE GATE DRIVER IN SO-8 (Type TH)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.