DGTD120T25S1PT Diodes Incorporated
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 595.88 грн |
| 10+ | 395.07 грн |
| 100+ | 331.38 грн |
| 450+ | 303.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DGTD120T25S1PT Diodes Incorporated
Description: IGBT FIELD STOP 1200V 50A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 100 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A, Supplier Device Package: TO-247, IGBT Type: Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 73ns/269ns, Switching Energy: 1.44mJ (on), 550µJ (off), Test Condition: 600V, 25A, 23Ohm, 15V, Gate Charge: 204 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A, Power - Max: 348 W.
Інші пропозиції DGTD120T25S1PT за ціною від 275.97 грн до 642.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DGTD120T25S1PT | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: IGBT FIELD STOP 1200V 50A TO-247Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 100 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A Supplier Device Package: TO-247 IGBT Type: Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 73ns/269ns Switching Energy: 1.44mJ (on), 550µJ (off) Test Condition: 600V, 25A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 204 nC Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A Power - Max: 348 W |
на замовлення 15297 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
DGTD120T25S1PT | Виробник : Diodes Inc |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 348000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |