Продукція > IXYS SEMICONDUCTOR > DHG10I1200PA
DHG10I1200PA

DHG10I1200PA IXYS SEMICONDUCTOR

IXYSS05794-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - DHG10I1200PA - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1.2 kV, 10 A, Einfach, 2.38 V, 75 ns, 70 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Durchlassstoßstrom: 70A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 2.38V
Sperrverzögerungszeit: 75ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: DHG10
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+151.13 грн
10+125.37 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DHG10I1200PA IXYS SEMICONDUCTOR

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - DHG10I1200PA - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1.2 kV, 10 A, Einfach, 2.38 V, 75 ns, 70 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220AC, Durchlassstoßstrom: 70A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 2.38V, Sperrverzögerungszeit: 75ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: DHG10, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції DHG10I1200PA за ціною від 81.91 грн до 209.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DHG10I1200PA DHG10I1200PA Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BFA3EDC532694143&compId=DHG10I1200PA.pdf?ci_sign=ff3d10ce111358f641abd5b1e2ef9390ef4a4d84 Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 10A; tube; Ifsm: 60A; TO220AC; 85W
Power dissipation: 85W
Case: TO220AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: fast switching
Reverse recovery time: 200ns
Heatsink thickness: 1.14...1.39mm
Max. forward voltage: 2.23V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 60A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: single diode
Technology: Sonic FRD™
Type of diode: rectifying
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+160.58 грн
5+114.82 грн
10+97.28 грн
25+90.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DHG10I1200PA DHG10I1200PA Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BFA3EDC532694143&compId=DHG10I1200PA.pdf?ci_sign=ff3d10ce111358f641abd5b1e2ef9390ef4a4d84 Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 10A; tube; Ifsm: 60A; TO220AC; 85W
Power dissipation: 85W
Case: TO220AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: fast switching
Reverse recovery time: 200ns
Heatsink thickness: 1.14...1.39mm
Max. forward voltage: 2.23V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 60A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: single diode
Technology: Sonic FRD™
Type of diode: rectifying
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 158 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+192.70 грн
5+143.09 грн
10+116.74 грн
25+108.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DHG10I1200PA Виробник : IXYS media-3323307.pdf Small Signal Switching Diodes 10 Amps 1200V
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+209.87 грн
10+105.64 грн
100+86.50 грн
500+81.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DHG10I1200PA DHG10I1200PA Виробник : IXYS DHG10I1200PA.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.