на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 192.34 грн |
| 10+ | 166.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DHG10I600PA IXYS
Category: THT universal diodes, Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 10A; tube; Ifsm: 80A; TO220AC; 70W; 35ns, Mounting: THT, Power dissipation: 70W, Kind of package: tube, Type of diode: rectifying, Features of semiconductor devices: fast switching, Technology: Sonic FRD™, Heatsink thickness: 1.14...1.39mm, Case: TO220AC, Max. off-state voltage: 0.6kV, Max. forward voltage: 2.18V, Load current: 10A, Semiconductor structure: single diode, Reverse recovery time: 35ns, Max. forward impulse current: 80A, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції DHG10I600PA
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
DHG10I600PA | Виробник : IXYS |
 Diodes - General Purpose, Power, Switching 10 Amps 600V |
на замовлення 87 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
 |
DHG10I600PA | Виробник : IXYS |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 10A; tube; Ifsm: 80A; TO220AC; 70W; 35ns Mounting: THT Power dissipation: 70W Kind of package: tube Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: fast switching Technology: Sonic FRD™ Heatsink thickness: 1.14...1.39mm Case: TO220AC Max. off-state voltage: 0.6kV Max. forward voltage: 2.18V Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 35ns Max. forward impulse current: 80A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
|
|
DHG10I600PA | Виробник : IXYS |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 10A; tube; Ifsm: 80A; TO220AC; 70W; 35ns Mounting: THT Power dissipation: 70W Kind of package: tube Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: fast switching Technology: Sonic FRD™ Heatsink thickness: 1.14...1.39mm Case: TO220AC Max. off-state voltage: 0.6kV Max. forward voltage: 2.18V Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 35ns Max. forward impulse current: 80A |
товар відсутній |