DI001N65PTK DIOTEC SEMICONDUCTOR
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 1A; Idm: 4A; 32.2W; PQFN3X3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 1A
Pulsed drain current: 4A
Power dissipation: 32.2W
Case: PQFN3X3
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 5.8nC
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 61.99 грн |
| 13+ | 35.05 грн |
| 100+ | 29.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DI001N65PTK DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: MOSFET POWERQFN 3X3 N 650V, Packaging: Bulk, Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 31.2W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-QFN (3x3), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 350 V.
Інші пропозиції DI001N65PTK
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
DI001N65PTK | Diotec Semiconductor |
Description: MOSFET POWERQFN 3X3 N 650V Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 31.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-QFN (3x3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 350 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. |
| DI001N65PTK | Diotec Semiconductor |
MOSFETs PowerQFN 3x3, N, 650V, 1A, 1.6?, 150C |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. |
| DI001N65PTK |
|
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET POWERQFN 3X3 N 650V
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 31.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 350 V
Description: MOSFET POWERQFN 3X3 N 650V
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 31.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 350 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| DI001N65PTK |
|
Виробник: Diotec Semiconductor
MOSFETs PowerQFN 3x3, N, 650V, 1A, 1.6?, 150C
MOSFETs PowerQFN 3x3, N, 650V, 1A, 1.6?, 150C
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.