DI003N03SQ2

DI003N03SQ2 Diotec Semiconductor


di003n03sq2.pdf Виробник: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET SO-8 N 30V 0.05OHM 150C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Power - Max: 1.6W
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+19.03 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DI003N03SQ2 Diotec Semiconductor

Description: DIOTEC - DI003N03SQ2 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 3 A, 0.05 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції DI003N03SQ2 за ціною від 17.31 грн до 78.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DI003N03SQ2 DI003N03SQ2 Виробник : DIOTEC 4408141.pdf Description: DIOTEC - DI003N03SQ2 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 3 A, 0.05 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
28+32.02 грн
29+31.22 грн
100+26.42 грн
500+20.65 грн
1000+17.31 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
DI003N03SQ2 DI003N03SQ2 Виробник : Diotec Semiconductor di003n03sq2.pdf Description: MOSFET SO-8 N 30V 0.05OHM 150C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Power - Max: 1.6W
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+78.90 грн
10+47.65 грн
100+31.21 грн
500+22.65 грн
1000+20.52 грн
2000+18.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DI003N03SQ2 DI003N03SQ2 Виробник : Diotec Semiconductor di003n03sq2.pdf MOSFETs MOSFET, SO-8, 30V, 3A, 150C, N
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI003N03SQ2 DI003N03SQ2 Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR di003n03sq2.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 3A; Idm: 9A; 1.6W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 9A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±18V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 4.5nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.