Продукція > DIOTEC > DI005C04PTK-AQ
DI005C04PTK-AQ

DI005C04PTK-AQ DIOTEC


4408142.pdf Виробник: DIOTEC
Description: DIOTEC - DI005C04PTK-AQ - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 5 A, 4 A, 0.035 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 11.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.035ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 11.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+24.82 грн
500+22.81 грн
1000+20.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DI005C04PTK-AQ DIOTEC

Description: DIOTEC - DI005C04PTK-AQ - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 5 A, 4 A, 0.035 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 11.3W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: QFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.035ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 11.3W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції DI005C04PTK-AQ за ціною від 20.47 грн до 52.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DI005C04PTK-AQ DI005C04PTK-AQ Виробник : DIOTEC 4408142.pdf Description: DIOTEC - DI005C04PTK-AQ - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 5 A, 4 A, 0.035 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 11.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.035ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 11.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+52.28 грн
21+41.45 грн
100+24.82 грн
500+22.81 грн
1000+20.47 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
DI005C04PTK-AQ DI005C04PTK-AQ Виробник : Diotec Semiconductor di005c04ptk.pdf Description: DI005C04PTK-AQ
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 12.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 2.5A, 10V, 60mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI005C04PTK-AQ DI005C04PTK-AQ Виробник : Diotec Semiconductor di005c04ptk.pdf MOSFETs PowerQFN 3x3-Dual, N+P, 40V, 5A, 3.5m?, 150C, AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI005C04PTK-AQ Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR di005c04ptk.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 40/-40V; 5/-4A; Idm: 20÷-16A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 5/-4A
Pulsed drain current: 20...-16A
Power dissipation: 11.3W
Case: QFN3X3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.