Технічний опис DI005C04PTK-AQ Diotec Semiconductor
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DI005C04PTK-AQ - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 5 A, 4 A, 0.035 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 11.3W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: QFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.035ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 11.3W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції DI005C04PTK-AQ
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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DI005C04PTK-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DI005C04PTK-AQ - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 5 A, 4 A, 0.035 ohmtariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm Verlustleistung, p-Kanal: 11.3W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: QFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.035ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 11.3W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 4965 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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DI005C04PTK-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DI005C04PTK-AQ - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 5 A, 4 A, 0.035 ohmtariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm Verlustleistung, p-Kanal: 11.3W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 8Pin(s) Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.035ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Verlustleistung, n-Kanal: 11.3W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 4965 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| DI005C04PTK-AQ |
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Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DI005C04PTK-AQ - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 5 A, 4 A, 0.035 ohm
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Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
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Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: QFN
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Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 11.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DI005C04PTK-AQ - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 5 A, 4 A, 0.035 ohm
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Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DI005C04PTK-AQ - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 5 A, 4 A, 0.035 ohm
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Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)



