DI005N03PW-AQ

DI005N03PW-AQ Diotec Semiconductor


di005n03pw.pdf Виробник: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET POWERQFN 2X2 30V 0.02OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-QFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 448 pF @ 15 V
на замовлення 3680 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.14 грн
18+17.16 грн
100+11.57 грн
500+8.41 грн
1000+7.59 грн
2000+6.89 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DI005N03PW-AQ Diotec Semiconductor

Description: MOSFET POWERQFN 2X2 30V 0.02OHM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-QFN (2x2), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 448 pF @ 15 V.

Інші пропозиції DI005N03PW-AQ за ціною від 9.15 грн до 48.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DI005N03PW-AQ DI005N03PW-AQ Виробник : Diotec Semiconductor di005n03pw.pdf MOSFETs MOSFET, PowerQFN 2x2, 30V, 5A, 150C, N, AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+48.43 грн
11+33.59 грн
100+20.35 грн
500+17.86 грн
1000+16.62 грн
4000+12.23 грн
8000+9.15 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DI005N03PW-AQ Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR di005n03pw.pdf DI005N03PW-AQ-DIO SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI005N03PW-AQ DI005N03PW-AQ Виробник : Diotec Semiconductor di005n03pw.pdf Description: MOSFET POWERQFN 2X2 30V 0.02OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-QFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 448 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.