Продукція > DIOTEC > DI005N06SQ2
DI005N06SQ2

DI005N06SQ2 DIOTEC

4408143.pdf Виробник: DIOTEC
Description: DIOTEC - DI005N06SQ2 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 5 A, 0.04 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.04ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
26+33.67 грн
29+30.58 грн
100+25.87 грн
500+20.21 грн
1000+16.60 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DI005N06SQ2 DIOTEC

Description: DIOTEC - DI005N06SQ2 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 5 A, 0.04 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.04ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.7W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції DI005N06SQ2 за ціною від 20.01 грн до 68.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DI005N06SQ2 DI005N06SQ2 Виробник : Diotec Semiconductor di005n06sq2.pdf MOSFETs MOSFET, SO-8, 60V, 5A, 150C, N
на замовлення 2172 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+68.96 грн
10+53.13 грн
100+27.72 грн
500+27.42 грн
1000+26.50 грн
2000+23.44 грн
4000+20.01 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DI005N06SQ2 Виробник : Diotec Semiconductor di005n06sq2.pdf Dual N-Channel Power MOSFET N-Kanal Leistungs-Doppel-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI005N06SQ2 Виробник : Diotec Semiconductor di005n06sq2.pdf Description: IC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1295pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI005N06SQ2 Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF95B05F5C8BE140D6&compId=di005n06sq2.pdf?ci_sign=6b576418603b49404bf630abe3a5de09c0782980 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 4.1A; Idm: 30A; 1.3W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.1A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 1.3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.