Продукція > DIOTEC SEMICONDUCTOR > DI006H03SQ
DI006H03SQ

DI006H03SQ Diotec Semiconductor

di006h03sq.pdf Виробник: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET 2N/2P-CH 30V 6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 4.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 15V, 631pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V, 50mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7nC @ 10V, 11.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+145.80 грн
10+95.47 грн
100+67.59 грн
500+51.76 грн
1000+47.95 грн
2000+44.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DI006H03SQ Diotec Semiconductor

Description: MOSFET 2N/2P-CH 30V 6A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.5W (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 4.2A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 15V, 631pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V, 50mOhm @ 5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7nC @ 10V, 11.4nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DI006H03SQ за ціною від 73.10 грн до 227.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DI006H03SQ DI006H03SQ Виробник : Diotec Semiconductor di006h03sq.pdf MOSFET MOSFET, SO-8, 30V, 6A, 150C, N+P
на замовлення 3975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+227.55 грн
10+175.97 грн
100+91.18 грн
500+90.38 грн
1000+88.01 грн
2000+77.46 грн
4000+73.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DI006H03SQ DI006H03SQ Виробник : Diotec Semiconductor di006h03sq.pdf Description: MOSFET 2N/2P-CH 30V 6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 4.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 15V, 631pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V, 50mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7nC @ 10V, 11.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.