Продукція > DIOTEC SEMICONDUCTOR > DI006H03SQ
DI006H03SQ

DI006H03SQ Diotec Semiconductor

di006h03sq.pdf Виробник: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET 2N/2P-CH 30V 6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 4.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 15V, 631pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V, 50mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7nC @ 10V, 11.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+138.82 грн
10+90.90 грн
100+64.35 грн
500+49.28 грн
1000+45.65 грн
2000+42.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DI006H03SQ Diotec Semiconductor

Description: MOSFET 2N/2P-CH 30V 6A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.5W (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 4.2A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 15V, 631pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V, 50mOhm @ 5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7nC @ 10V, 11.4nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DI006H03SQ за ціною від 69.60 грн до 216.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DI006H03SQ DI006H03SQ Виробник : Diotec Semiconductor di006h03sq.pdf MOSFET MOSFET, SO-8, 30V, 6A, 150C, N+P
на замовлення 3975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+216.66 грн
10+167.55 грн
100+86.81 грн
500+86.06 грн
1000+83.79 грн
2000+73.75 грн
4000+69.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DI006H03SQ DI006H03SQ Виробник : Diotec Semiconductor di006h03sq.pdf Description: MOSFET 2N/2P-CH 30V 6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 4.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 15V, 631pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V, 50mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7nC @ 10V, 11.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI006H03SQ DI006H03SQ Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE8AF020987DCD20D5&compId=di006h03sq.pdf?ci_sign=53b66facf196a8a50784bfccf3490279b7e5e70b Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET x2; unipolar; 30/-30V; 4.8/-3.3A; 1.5W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4.8/-3.3A
Power dissipation: 1.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40/80mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: MOSFET H-Bridge
Pulsed drain current: 60...-30A
Gate charge: 11.7/11.4nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.