DI006P02PW Diotec Semiconductor
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 16.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DI006P02PW Diotec Semiconductor
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; Idm: -36A; 2W; QFN2X2, Type of transistor: P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -20V, Drain current: -6A, Pulsed drain current: -36A, Power dissipation: 2W, Case: QFN2X2, Gate-source voltage: ±12V, On-state resistance: 35mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 13nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції DI006P02PW
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| DI006P02PW | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
 Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; Idm: -36A; 2W; QFN2X2 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -6A Pulsed drain current: -36A Power dissipation: 2W Case: QFN2X2 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 35mΩ Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
| DI006P02PW | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; Idm: -36A; 2W; QFN2X2 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -6A Pulsed drain current: -36A Power dissipation: 2W Case: QFN2X2 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 35mΩ Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |