DI008N09SQ Diotec Semiconductor
на замовлення 3970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 76.6 грн |
10+ | 59.5 грн |
100+ | 31.03 грн |
500+ | 30.7 грн |
1000+ | 29.77 грн |
2000+ | 26.3 грн |
4000+ | 20.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DI008N09SQ Diotec Semiconductor
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 90V; 8A; Idm: 23A; 2W; SO8, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 90V, Drain current: 8A, Pulsed drain current: 23A, Power dissipation: 2W, Case: SO8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 75mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 12nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced.
Інші пропозиції DI008N09SQ за ціною від 16.85 грн до 48.98 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DI008N09SQ | Виробник : Diotec Semiconductor |
Description: MOSFET SO8 90V 8A 0.075OHM 150C Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A Power Dissipation (Max): 2W Supplier Device Package: 8-SO |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DI008N09SQ | Виробник : Diotec Semiconductor |
Description: MOSFET SO8 90V 8A 0.075OHM 150C Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A Power Dissipation (Max): 2W Supplier Device Package: 8-SO |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DI008N09SQ | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 90V; 8A; Idm: 23A; 2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 90V Drain current: 8A Pulsed drain current: 23A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 75mΩ Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
||||||||||||||||
DI008N09SQ | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 90V; 8A; Idm: 23A; 2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 90V Drain current: 8A Pulsed drain current: 23A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 75mΩ Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |