DI008N09SQ

DI008N09SQ Diotec Semiconductor


di008n09sq.pdf Виробник: Diotec Semiconductor
MOSFET MOSFET, SO-8, 90V, 8A, 150C, N
на замовлення 3970 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+76.6 грн
10+ 59.5 грн
100+ 31.03 грн
500+ 30.7 грн
1000+ 29.77 грн
2000+ 26.3 грн
4000+ 20.78 грн
Мінімальне замовлення: 5
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DI008N09SQ Diotec Semiconductor

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 90V; 8A; Idm: 23A; 2W; SO8, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 90V, Drain current: 8A, Pulsed drain current: 23A, Power dissipation: 2W, Case: SO8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 75mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 12nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced.

Інші пропозиції DI008N09SQ за ціною від 16.85 грн до 48.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DI008N09SQ Виробник : Diotec Semiconductor di008n09sq.pdf Description: MOSFET SO8 90V 8A 0.075OHM 150C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Power Dissipation (Max): 2W
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+18.64 грн
Мінімальне замовлення: 4000
DI008N09SQ Виробник : Diotec Semiconductor di008n09sq.pdf Description: MOSFET SO8 90V 8A 0.075OHM 150C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Power Dissipation (Max): 2W
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+48.98 грн
10+ 40.93 грн
100+ 28.34 грн
500+ 22.22 грн
1000+ 18.91 грн
2000+ 16.85 грн
Мінімальне замовлення: 6
DI008N09SQ DI008N09SQ Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR di008n09sq.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 90V; 8A; Idm: 23A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 90V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DI008N09SQ DI008N09SQ Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR di008n09sq.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 90V; 8A; Idm: 23A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 90V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній