DI010N03PW-AQ Diotec Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 51.73 грн |
| 10+ | 30.72 грн |
| 50+ | 22.46 грн |
| 100+ | 18.57 грн |
| 500+ | 14.10 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DI010N03PW-AQ Diotec Semiconductor
Description: DIOTEC - DI010N03PW-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.012 ohm, QFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 1.4W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: QFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm.
Інші пропозиції DI010N03PW-AQ
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
DI010N03PW-AQ | Diotec Semiconductor |
 MOSFETs MOSFET, PowerQFN 2x2, 30V, 10A, 150C, N, AEC-Q101 |
на замовлення 4075 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
DI010N03PW-AQ | DIOTEC |
Description: DIOTEC - DI010N03PW-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.012 ohm, QFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 1.4W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: QFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
DI010N03PW-AQ | DIOTEC |
Description: DIOTEC - DI010N03PW-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.012 ohm, QFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 1.4W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| DI010N03PW-AQ |
|
Виробник: Diotec Semiconductor
MOSFETs MOSFET, PowerQFN 2x2, 30V, 10A, 150C, N, AEC-Q101
MOSFETs MOSFET, PowerQFN 2x2, 30V, 10A, 150C, N, AEC-Q101
на замовлення 4075 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| DI010N03PW-AQ |
|
Виробник: DIOTEC
Description: DIOTEC - DI010N03PW-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.012 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1.4W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
Description: DIOTEC - DI010N03PW-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.012 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1.4W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DI010N03PW-AQ |
|
Виробник: DIOTEC
Description: DIOTEC - DI010N03PW-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.012 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1.4W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
Description: DIOTEC - DI010N03PW-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.012 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1.4W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)