Продукція > DIOTEC SEMICONDUCTOR > DI010N03PW-AQ
DI010N03PW-AQ

DI010N03PW-AQ DIOTEC SEMICONDUCTOR

di010n03pw.pdf
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DI010N03PW-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.012 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+21.13 грн
500+15.25 грн
1000+12.68 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DI010N03PW-AQ DIOTEC SEMICONDUCTOR

Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DI010N03PW-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.012 ohm, QFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.4W, Bauform - Transistor: QFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції DI010N03PW-AQ за ціною від 9.05 грн до 51.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DI010N03PW-AQ DI010N03PW-AQ Diotec Semiconductor di010n03pw.pdf Description: MOSFET POWERQFN 2X2 N 30V
на замовлення 3996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.73 грн
20+15.25 грн
25+13.56 грн
100+10.96 грн
250+10.12 грн
500+9.62 грн
1000+9.05 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI010N03PW-AQ DI010N03PW-AQ DIOTEC SEMICONDUCTOR di010n03pw.pdf Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DI010N03PW-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.012 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+51.78 грн
25+33.25 грн
100+21.13 грн
500+15.25 грн
1000+12.68 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI010N03PW-AQ DI010N03PW-AQ Diotec Semiconductor di010n03pw.pdf MOSFETs MOSFET, PowerQFN 2x2, 30V, 10A, 150C, N, AEC-Q101
на замовлення 4075 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DI010N03PW-AQ di010n03pw.pdf
DI010N03PW-AQ
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET POWERQFN 2X2 N 30V
на замовлення 3996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+22.73 грн
20+15.25 грн
25+13.56 грн
100+10.96 грн
250+10.12 грн
500+9.62 грн
1000+9.05 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI010N03PW-AQ di010n03pw.pdf
DI010N03PW-AQ
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DI010N03PW-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.012 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+51.78 грн
25+33.25 грн
100+21.13 грн
500+15.25 грн
1000+12.68 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI010N03PW-AQ di010n03pw.pdf
DI010N03PW-AQ
Виробник: Diotec Semiconductor
MOSFETs MOSFET, PowerQFN 2x2, 30V, 10A, 150C, N, AEC-Q101
на замовлення 4075 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.