Продукція > DIOTEC SEMICONDUCTOR > DI010N03PW
DI010N03PW

DI010N03PW Diotec Semiconductor

di010n03pw.pdf Виробник: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET POWERQFN 2X2 N 30V 10A 0.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 15 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+9.61 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DI010N03PW Diotec Semiconductor

Description: MOSFET POWERQFN 2X2 N 30V 10A 0., Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerUDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-QFN (2x2), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 15 V.

Інші пропозиції DI010N03PW за ціною від 8.99 грн до 38.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DI010N03PW DI010N03PW Виробник : Diotec Semiconductor di010n03pw.pdf Description: MOSFET POWERQFN 2X2 N 30V 10A 0.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 15 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.44 грн
14+23.09 грн
100+15.63 грн
500+11.44 грн
1000+10.37 грн
2000+9.46 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DI010N03PW DI010N03PW Виробник : Diotec Semiconductor di010n03pw.pdf MOSFETs MOSFET, PowerQFN 2x2, 30V, 10A, 150C, N
на замовлення 6800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+38.84 грн
14+25.93 грн
100+15.31 грн
500+11.89 грн
1000+10.82 грн
2000+9.83 грн
4000+8.99 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DI010N03PW Виробник : Diotec Semiconductor di010n03pw.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.