DI010N03PW Diotec Semiconductor
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET POWERQFN 2X2 N 30V 10A 0.
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 15 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-QFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerUDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 47.27 грн |
| 11+ | 27.98 грн |
| 100+ | 17.96 грн |
| 500+ | 12.78 грн |
| 1000+ | 11.47 грн |
| 2000+ | 10.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DI010N03PW Diotec Semiconductor
Description: MOSFET POWERQFN 2X2 N 30V 10A 0., Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerUDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-QFN (2x2), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 15 V.
Інші пропозиції DI010N03PW
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
DI010N03PW | Diotec Semiconductor |
MOSFETs MOSFET, PowerQFN 2x2, 30V, 10A, 150C, N |
на замовлення 6800 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| DI010N03PW |
![]() |
Виробник: Diotec Semiconductor
MOSFETs MOSFET, PowerQFN 2x2, 30V, 10A, 150C, N
MOSFETs MOSFET, PowerQFN 2x2, 30V, 10A, 150C, N
на замовлення 6800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)


