DI017N06PQ-AQ DIOTEC
Виробник: DIOTECDescription: DIOTEC - DI017N06PQ-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 17 A, 0.033 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 150+ | 22.65 грн |
| 500+ | 17.64 грн |
| 1000+ | 13.31 грн |
| 5000+ | 11.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DI017N06PQ-AQ DIOTEC
Description: DIOTEC - DI017N06PQ-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 17 A, 0.033 ohm, QFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 21W, Bauform - Transistor: QFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DI017N06PQ-AQ за ціною від 11.63 грн до 23.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DI017N06PQ-AQ | Виробник : DIOTEC |
Description: DIOTEC - DI017N06PQ-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 17 A, 0.033 ohm, QFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 21W Bauform - Transistor: QFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DI017N06PQ-AQ | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10A; Idm: 50A; 21W; QFN5x6 Case: QFN5x6 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Application: automotive industry Pulsed drain current: 50A Drain current: 10A Drain-source voltage: 60V Gate charge: 19nC On-state resistance: 39mΩ Polarisation: unipolar Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 21W Type of transistor: N-MOSFET Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
DI017N06PQ-AQ | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10A; Idm: 50A; 21W; QFN5x6 Case: QFN5x6 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Application: automotive industry Pulsed drain current: 50A Drain current: 10A Drain-source voltage: 60V Gate charge: 19nC On-state resistance: 39mΩ Polarisation: unipolar Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 21W Type of transistor: N-MOSFET Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |