DI020N06D1 Diotec Semiconductor
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 15.64 грн |
| 5000+ | 15.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DI020N06D1 Diotec Semiconductor
Description: DIOTEC - DI020N06D1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.035 ohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Bauform - Transistor: TO-252AA (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DI020N06D1 за ціною від 10.23 грн до 46.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DI020N06D1 | Виробник : Diotec Semiconductor |
 Description: MOSFET DPAK N 60V 0.024OHM 175CPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 15 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DI020N06D1 | Виробник : Diotec Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 4988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DI020N06D1 | Виробник : DIOTEC |
Description: DIOTEC - DI020N06D1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.035 ohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DI020N06D1 | Виробник : DIOTEC |
Description: DIOTEC - DI020N06D1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.035 ohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: TO-252AA (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DI020N06D1 | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 60A; 45W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 14A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 45W Case: DPAK; TO252AA Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 24mΩ Mounting: SMD Gate charge: 25.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2416 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DI020N06D1 | Виробник : Diotec Semiconductor |
Description: MOSFET DPAK N 60V 0.024OHM 175C Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 15 V |
на замовлення 5632 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DI020N06D1 | Виробник : Diotec Semiconductor |
MOSFETs MOSFET, DPAK, 60V, 20A, 175C, N |
на замовлення 1440 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DI020N06D1 | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 60A; 45W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 14A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 45W Case: DPAK; TO252AA Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 24mΩ Mounting: SMD Gate charge: 25.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2416 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| DI020N06D1 | Виробник : DIOTEC |
Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Substitute: DI020N06D1-DIO; DI020N06D1 TDI020N06D1 DIOTEC |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| DI020N06D1 | Виробник : Diotec Semiconductor |
DI020N06D1 |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
DI020N06D1 | Виробник : Diotec Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
DI020N06D1 | Виробник : Diotec Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |