DI020N06D1 Diotec Semiconductor
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 11.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DI020N06D1 Diotec Semiconductor
Description: MOSFET DPAK N 60V 0.024OHM 175C, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 15 V.
Інші пропозиції DI020N06D1 за ціною від 9.81 грн до 46.34 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DI020N06D1 | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 60A; 45W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 14A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 45W Case: DPAK; TO252AA Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 24mΩ Mounting: SMD Gate charge: 25.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DI020N06D1 | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 60A; 45W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 14A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 45W Case: DPAK; TO252AA Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 24mΩ Mounting: SMD Gate charge: 25.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DI020N06D1 | Виробник : Diotec Semiconductor |
Description: MOSFET DPAK N 60V 0.024OHM 175C Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 15 V |
на замовлення 2425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DI020N06D1 | Виробник : Diotec Semiconductor | MOSFET MOSFET, DPAK, 60V, 20A, 175C, N |
на замовлення 1721 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DI020N06D1 | Виробник : Diotec Semiconductor | DI020N06D1 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DI020N06D1 | Виробник : Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
DI020N06D1 | Виробник : Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
DI020N06D1 | Виробник : Diotec Semiconductor |
Description: MOSFET DPAK N 60V 0.024OHM 175C Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 15 V |
товар відсутній |