Продукція > DIOTEC > DI020N06D1
DI020N06D1

DI020N06D1 DIOTEC

TDI020N06D1_DIOTEC_DIOTEC_0001.pdf
Виробник: DIOTEC
Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Substitute: DI020N06D1-DIO; DI020N06D1 TDI020N06D1 DIOTEC
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+13.53 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DI020N06D1 DIOTEC

Description: DIOTEC - DI020N06D1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.035 ohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Bauform - Transistor: TO-252AA (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції DI020N06D1 за ціною від 11.53 грн до 62.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DI020N06D1 DI020N06D1 Diotec Semiconductor di020n06d1.pdf Description: MOSFET DPAK N 60V 0.024OHM 175C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 15 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.31 грн
5000+13.52 грн
7500+12.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI020N06D1 DI020N06D1 Diotec Semiconductor di020n06d1.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI020N06D1 DI020N06D1 Diotec Semiconductor di020n06d1.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
438+32.34 грн
490+28.91 грн
539+26.27 грн
1000+23.04 грн
1500+19.92 грн
2500+18.44 грн
Мінімальне замовлення: 438 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI020N06D1 DI020N06D1 Diotec Semiconductor di020n06d1.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
387+36.58 грн
566+25.02 грн
571+24.77 грн
698+19.56 грн
1095+11.53 грн
Мінімальне замовлення: 387 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI020N06D1 DI020N06D1 DIOTEC SEMICONDUCTOR di020n06d1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 60A; 45W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 571 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+48.77 грн
12+37.49 грн
100+23.73 грн
500+17.19 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI020N06D1 DI020N06D1 Diotec Semiconductor di020n06d1.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+61.17 грн
17+46.58 грн
100+28.80 грн
500+23.41 грн
1000+21.32 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI020N06D1 DI020N06D1 Diotec Semiconductor di020n06d1.pdf Description: MOSFET DPAK N 60V 0.024OHM 175C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 15 V
на замовлення 9844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.71 грн
10+37.44 грн
100+24.24 грн
500+17.42 грн
1000+15.70 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI020N06D1 DI020N06D1 Diotec Semiconductor di020n06d1.pdf MOSFETs MOSFET, DPAK, 60V, 20A, 175C, N
на замовлення 899 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DI020N06D1 DI020N06D1 DIOTEC 4408117.pdf Description: DIOTEC - DI020N06D1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.035 ohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252AA (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI020N06D1 DI020N06D1 DIOTEC di020n06d1.pdf Description: DIOTEC - DI020N06D1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.035 ohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI020N06D1 di020n06d1.pdf
DI020N06D1
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET DPAK N 60V 0.024OHM 175C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 15 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+15.31 грн
5000+13.52 грн
7500+12.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI020N06D1 di020n06d1.pdf
DI020N06D1
Виробник: Diotec Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+20.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI020N06D1 di020n06d1.pdf
DI020N06D1
Виробник: Diotec Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
438+32.34 грн
490+28.91 грн
539+26.27 грн
1000+23.04 грн
1500+19.92 грн
2500+18.44 грн
Мінімальне замовлення: 438 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI020N06D1 di020n06d1.pdf
DI020N06D1
Виробник: Diotec Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
387+36.58 грн
566+25.02 грн
571+24.77 грн
698+19.56 грн
1095+11.53 грн
Мінімальне замовлення: 387 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI020N06D1 di020n06d1.pdf
DI020N06D1
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 60A; 45W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 571 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+48.77 грн
12+37.49 грн
100+23.73 грн
500+17.19 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI020N06D1 di020n06d1.pdf
DI020N06D1
Виробник: Diotec Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+61.17 грн
17+46.58 грн
100+28.80 грн
500+23.41 грн
1000+21.32 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI020N06D1 di020n06d1.pdf
DI020N06D1
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET DPAK N 60V 0.024OHM 175C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 15 V
на замовлення 9844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+62.71 грн
10+37.44 грн
100+24.24 грн
500+17.42 грн
1000+15.70 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI020N06D1 di020n06d1.pdf
DI020N06D1
Виробник: Diotec Semiconductor
MOSFETs MOSFET, DPAK, 60V, 20A, 175C, N
на замовлення 899 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DI020N06D1 4408117.pdf
DI020N06D1
Виробник: DIOTEC
Description: DIOTEC - DI020N06D1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.035 ohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252AA (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI020N06D1 di020n06d1.pdf
DI020N06D1
Виробник: DIOTEC
Description: DIOTEC - DI020N06D1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.035 ohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.