DI020P06PT-AQ Diotec Semiconductor
Виробник: Diotec SemiconductorDescription: MOSFET, POWERQFN 3X3, -60V, -20A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Power Dissipation (Max): 29.7W
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 37.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DI020P06PT-AQ Diotec Semiconductor
Description: DIOTEC - DI020P06PT-AQ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 20 A, 0.045 ohm, QFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 35.7W, Bauform - Transistor: QFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DI020P06PT-AQ за ціною від 35.75 грн до 95.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DI020P06PT-AQ | Виробник : DIOTEC |
Description: DIOTEC - DI020P06PT-AQ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 20 A, 0.045 ohm, QFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DI020P06PT-AQ | Виробник : DIOTEC |
Description: DIOTEC - DI020P06PT-AQ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 20 A, 0.045 ohm, QFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 35.7W Bauform - Transistor: QFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DI020P06PT-AQ | Виробник : Diotec Semiconductor |
Description: MOSFET, POWERQFN 3X3, -60V, -20A Packaging: Cut Tape (CT) Mounting Type: Surface Mount FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Power Dissipation (Max): 29.7W Supplier Device Package: 8-QFN (3x3) Package / Case: 8-PowerVDFN |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DI020P06PT-AQ | Виробник : Diotec Semiconductor |
P-Channel Power MOSFET |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| DI020P06PT-AQ | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
DI020P06PT-AQ-DIO SMD P channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
 |
DI020P06PT-AQ | Виробник : Diotec Semiconductor |
MOSFET MOSFET, PowerQFN 3x3, -60V, -20A, 150C, P, AEC-Q101 |
товару немає в наявності |