Продукція > DIOTEC SEMICONDUCTOR > DI020P06PT-AQ
DI020P06PT-AQ

DI020P06PT-AQ DIOTEC SEMICONDUCTOR

di020p06pt.pdf
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -20A; Idm: -70A; 29.7W; QFN3X3
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: QFN3X3
On-state resistance: 45mΩ
Pulsed drain current: -70A
Power dissipation: 29.7W
Gate charge: 34nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -20A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -60V
Application: automotive industry
на замовлення 3354 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+29.80 грн
20+21.05 грн
50+19.54 грн
100+18.87 грн
500+17.86 грн
1000+16.94 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 14-30 дні (днів)
Мінімальна партія: 16 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DI020P06PT-AQ DIOTEC SEMICONDUCTOR

Description: DIOTEC - DI020P06PT-AQ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 20 A, 0.045 ohm, QFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 35.7W, Bauform - Transistor: QFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції DI020P06PT-AQ за ціною від 21.05 грн до 74.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DI020P06PT-AQ DI020P06PT-AQ Diotec Semiconductor di020p06pt.pdf Description: MOSFET, POWERQFN 3X3, -60V, -20A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Power Dissipation (Max): 29.7W
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.46 грн
10+44.68 грн
50+32.94 грн
100+27.34 грн
500+21.05 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI020P06PT-AQ DI020P06PT-AQ DIOTEC di020p06pt.pdf Description: DIOTEC - DI020P06PT-AQ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 20 A, 0.045 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35.7W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DI020P06PT-AQ DI020P06PT-AQ DIOTEC di020p06pt.pdf Description: DIOTEC - DI020P06PT-AQ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 20 A, 0.045 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI020P06PT-AQ di020p06pt.pdf
DI020P06PT-AQ
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET, POWERQFN 3X3, -60V, -20A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Power Dissipation (Max): 29.7W
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+74.46 грн
10+44.68 грн
50+32.94 грн
100+27.34 грн
500+21.05 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI020P06PT-AQ di020p06pt.pdf
DI020P06PT-AQ
Виробник: DIOTEC
Description: DIOTEC - DI020P06PT-AQ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 20 A, 0.045 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35.7W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DI020P06PT-AQ di020p06pt.pdf
DI020P06PT-AQ
Виробник: DIOTEC
Description: DIOTEC - DI020P06PT-AQ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 20 A, 0.045 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.