DI020P06PT-AQ DIOTEC SEMICONDUCTOR
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -20A; Idm: -70A; 29.7W; QFN3X3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -20A
Pulsed drain current: -70A
Power dissipation: 29.7W
Case: QFN3X3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 4699 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 25.70 грн |
| 22+ | 18.30 грн |
| 67+ | 14.00 грн |
| 184+ | 13.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DI020P06PT-AQ DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC - DI020P06PT-AQ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 20 A, 0.045 ohm, QFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 35.7W, Bauform - Transistor: QFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DI020P06PT-AQ за ціною від 15.85 грн до 77.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DI020P06PT-AQ | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -20A; Idm: -70A; 29.7W; QFN3X3 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -20A Pulsed drain current: -70A Power dissipation: 29.7W Case: QFN3X3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 45mΩ Mounting: SMD Gate charge: 34nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4699 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DI020P06PT-AQ | Виробник : DIOTEC |
Description: DIOTEC - DI020P06PT-AQ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 20 A, 0.045 ohm, QFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DI020P06PT-AQ | Виробник : Diotec Semiconductor |
Description: MOSFET, POWERQFN 3X3, -60V, -20APackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Power Dissipation (Max): 29.7W Supplier Device Package: 8-QFN (3x3) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2458 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DI020P06PT-AQ | Виробник : DIOTEC |
Description: DIOTEC - DI020P06PT-AQ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 20 A, 0.045 ohm, QFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 35.7W Bauform - Transistor: QFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DI020P06PT-AQ | Виробник : Diotec Semiconductor |
P-Channel Power MOSFET |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
|
DI020P06PT-AQ | Виробник : Diotec Semiconductor |
Description: MOSFET, POWERQFN 3X3, -60V, -20APackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Power Dissipation (Max): 29.7W Supplier Device Package: 8-QFN (3x3) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
DI020P06PT-AQ | Виробник : Diotec Semiconductor |
MOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, -60V, -20A, 150C, P, AEC-Q101 |
товару немає в наявності |

