Продукція > DIOTEC SEMICONDUCTOR > DI020P06PT
DI020P06PT

DI020P06PT Diotec Semiconductor

di020p06pt.pdf Виробник: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET PWRQFN 3X3 -60V 0.045OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Power Dissipation (Max): 29.7W
Supplier Device Package: PowerQFN 3x3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+30.31 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DI020P06PT Diotec Semiconductor

Description: DIOTEC - DI020P06PT - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 20 A, 0.045 ohm, QFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 35.7W, Bauform - Transistor: QFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції DI020P06PT за ціною від 28.76 грн до 76.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DI020P06PT DI020P06PT Виробник : DIOTEC di020p06pt.pdf Description: DIOTEC - DI020P06PT - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 20 A, 0.045 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
150+48.51 грн
500+38.36 грн
1000+32.00 грн
5000+31.20 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
DI020P06PT DI020P06PT Виробник : DIOTEC di020p06pt.pdf Description: DIOTEC - DI020P06PT - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 20 A, 0.045 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35.7W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+61.63 грн
15+56.46 грн
100+48.51 грн
500+38.36 грн
1000+32.00 грн
5000+31.20 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
DI020P06PT DI020P06PT Виробник : Diotec Semiconductor di020p06pt.pdf Description: MOSFET PWRQFN 3X3 -60V 0.045OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Power Dissipation (Max): 29.7W
Supplier Device Package: PowerQFN 3x3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+76.73 грн
10+60.60 грн
100+47.15 грн
500+37.51 грн
1000+30.56 грн
2000+28.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DI020P06PT Виробник : Diotec Semiconductor di020p06pt.pdf P-Channel Power MOSFETP-Kanal Leistungs-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI020P06PT Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR di020p06pt.pdf DI020P06PT-DIO SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI020P06PT DI020P06PT Виробник : Diotec Semiconductor di020p06pt-2936298.pdf MOSFET MOSFET, PowerQFN 3x3, -60V, -20A, 150C, P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.