DI020P06PT Diotec Semiconductor
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET PWRQFN 3X3 -60V 0.045OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Power Dissipation (Max): 29.7W
Supplier Device Package: PowerQFN 3x3
Description: MOSFET PWRQFN 3X3 -60V 0.045OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Power Dissipation (Max): 29.7W
Supplier Device Package: PowerQFN 3x3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5000+ | 26.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DI020P06PT Diotec Semiconductor
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -20A; Idm: -70A; 29.7W; QFN8, Mounting: SMD, Case: QFN8, Kind of package: reel; tape, Polarisation: unipolar, Gate charge: 34nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: -70A, Drain-source voltage: -60V, Drain current: -20A, On-state resistance: 45mΩ, Type of transistor: P-MOSFET, Power dissipation: 29.7W, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції DI020P06PT за ціною від 25.45 грн до 67.88 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DI020P06PT | Виробник : Diotec Semiconductor |
Description: MOSFET PWRQFN 3X3 -60V 0.045OHM Packaging: Cut Tape (CT) Mounting Type: Surface Mount FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Power Dissipation (Max): 29.7W Supplier Device Package: PowerQFN 3x3 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DI020P06PT | Виробник : Diotec Semiconductor | P-Channel Power MOSFETP-Kanal Leistungs-MOSFET |
товар відсутній |
||||||||||||||||
DI020P06PT | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -20A; Idm: -70A; 29.7W; QFN8 Mounting: SMD Case: QFN8 Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 34nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -70A Drain-source voltage: -60V Drain current: -20A On-state resistance: 45mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 29.7W кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
DI020P06PT | Виробник : Diotec Semiconductor | MOSFET MOSFET, PowerQFN 3x3, -60V, -20A, 150C, P |
товар відсутній |
||||||||||||||||
DI020P06PT | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -20A; Idm: -70A; 29.7W; QFN8 Mounting: SMD Case: QFN8 Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 34nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -70A Drain-source voltage: -60V Drain current: -20A On-state resistance: 45mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 29.7W |
товар відсутній |