Продукція > DIOTEC > DI025N06PT-AQ
DI025N06PT-AQ

DI025N06PT-AQ DIOTEC

4408119.pdf Виробник: DIOTEC
Description: DIOTEC - DI025N06PT-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 65 V, 25 A, 0.02 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 65V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
44+18.82 грн
100+16.92 грн
500+13.18 грн
1000+9.97 грн
Мінімальне замовлення: 44
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DI025N06PT-AQ DIOTEC

Description: DIOTEC - DI025N06PT-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 65 V, 25 A, 0.02 ohm, QFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 65V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 25W, Bauform - Transistor: QFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції DI025N06PT-AQ за ціною від 9.71 грн до 44.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DI025N06PT-AQ DI025N06PT-AQ Виробник : Diotec Semiconductor di025n06pt.pdf Description: MOSFET POWERQFN 3X3 65V 0.02OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 406 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+44.57 грн
12+26.52 грн
100+16.94 грн
500+12.01 грн
1000+10.76 грн
2000+9.71 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DI025N06PT-AQ Виробник : Diotec Semiconductor di025n06pt.pdf MOSFET, PowerQFN 3x3, 65V, 25A, 150C, N
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI025N06PT-AQ Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR di025n06pt.pdf DI025N06PT-AQ-DIO SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI025N06PT-AQ DI025N06PT-AQ Виробник : Diotec Semiconductor di025n06pt.pdf Description: MOSFET POWERQFN 3X3 65V 0.02OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 406 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI025N06PT-AQ DI025N06PT-AQ Виробник : Diotec Semiconductor di025n06pt.pdf MOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, 65V, 25A, 150C, N, AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.