Продукція > DIOTEC SEMICONDUCTOR > DI025N20PQ
DI025N20PQ

DI025N20PQ Diotec Semiconductor

di025n20pq.pdf Виробник: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET N , 200V 25A 48mW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+56.98 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DI025N20PQ Diotec Semiconductor

Description: MOSFET N , 200V 25A 48mW, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 135W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-QFN (5x6), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 100 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DI025N20PQ за ціною від 52.65 грн до 147.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DI025N20PQ DI025N20PQ Виробник : Diotec Semiconductor di025n20pq.pdf Description: MOSFET N , 200V 25A 48mW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+131.63 грн
10+105.07 грн
100+83.59 грн
500+66.37 грн
1000+56.32 грн
2000+53.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DI025N20PQ DI025N20PQ Виробник : Diotec Semiconductor di025n20pq.pdf MOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 0, 200V, 25A, 0.048?
на замовлення 4970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+147.32 грн
10+120.58 грн
100+83.42 грн
500+70.33 грн
1000+56.71 грн
5000+54.49 грн
10000+52.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DI025N20PQ Виробник : Diotec Semiconductor di025n20pq.pdf N-Channel Power MOSFETN-Kanal Leistungs-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI025N20PQ Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR di025n20pq.pdf DI025N20PQ-DIO SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.