Продукція > DIOTEC SEMICONDUCTOR > DI025N20PQ

DI025N20PQ Diotec Semiconductor

Name: DI025N20PQ
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 19975955-4
Price: 384.56 UAH
Availability: InStock

Виробник: Diotec Semiconductor
MOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 0, 200V, 25A, 0.048?

на замовлення 4889 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	192.28 грн
10+	122.36 грн
100+	73.02 грн
500+	59.46 грн
5000+	50.07 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис DI025N20PQ Diotec Semiconductor

Description: MOSFET N , 200V 25A 48mW, Qualification: AEC-Q101, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Grade: Automotive, Supplier Device Package: 8-QFN (5x6), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 135W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 20A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerTDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції DI025N20PQ

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
DI025N20PQ	Виробник : Diotec Semiconductor	Description: MOSFET N , 200V 25A 48mW Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: 8-QFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 135W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR)	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
DI025N20PQ	Виробник : Diotec Semiconductor	Description: MOSFET N , 200V 25A 48mW Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 100 V Grade: Automotive Supplier Device Package: 8-QFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 135W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT)	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
DI025N20PQ	Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 20A; Idm: 100A; 135W; QFN5x6 Case: QFN5x6 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 100A Drain current: 20A Drain-source voltage: 200V Gate charge: 28nC On-state resistance: 48mΩ Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 135W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.