Продукція > DIOTEC > DI028N10PQ2-AQ
DI028N10PQ2-AQ

DI028N10PQ2-AQ DIOTEC


4408144.pdf Виробник: DIOTEC
Description: DIOTEC - DI028N10PQ2-AQ - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 28 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
150+93.26 грн
500+72.50 грн
1000+59.49 грн
5000+57.58 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DI028N10PQ2-AQ DIOTEC

Description: DIOTEC - DI028N10PQ2-AQ - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 28 A, 0.021 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 28A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: QFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 32.7W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції DI028N10PQ2-AQ за ціною від 57.58 грн до 121.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DI028N10PQ2-AQ DI028N10PQ2-AQ Виробник : DIOTEC 4408144.pdf Description: DIOTEC - DI028N10PQ2-AQ - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 28 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 28A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 32.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+121.32 грн
10+109.76 грн
100+93.26 грн
500+72.50 грн
1000+59.49 грн
5000+57.58 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DI028N10PQ2-AQ Виробник : Diotec Semiconductor di028n10pq2.pdf MOSFETs (Field Effect Transistors)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI028N10PQ2-AQ DI028N10PQ2-AQ Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR di028n10pq2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 18A; Idm: 130A; 32.7W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 32.7W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI028N10PQ2-AQ DI028N10PQ2-AQ Виробник : Diotec Semiconductor di028n10pq2.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 28A 8TDSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 32.7W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1028pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TDSON-8-4
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI028N10PQ2-AQ DI028N10PQ2-AQ Виробник : Diotec Semiconductor di028n10pq2.pdf MOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 100V, 28A, 150C, N, AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI028N10PQ2-AQ DI028N10PQ2-AQ Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR di028n10pq2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 18A; Idm: 130A; 32.7W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 32.7W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.