Продукція > DIOTEC > DI030N03D1
DI030N03D1

DI030N03D1 DIOTEC


4408120.pdf Виробник: DIOTEC
Description: DIOTEC - DI030N03D1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.014 ohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-252AA (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
33+25.17 грн
100+22.61 грн
500+17.63 грн
1000+13.30 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DI030N03D1 DIOTEC

Description: DIOTEC - DI030N03D1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.014 ohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: TO-252AA (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції DI030N03D1 за ціною від 14.06 грн до 56.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DI030N03D1 DI030N03D1 Виробник : Diotec Semiconductor di030n03d1.pdf Description: MOSFET DPAK N 30V 0.01OHM 175C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 15 V
на замовлення 1502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.50 грн
10+33.72 грн
100+21.77 грн
500+15.61 грн
1000+14.06 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DI030N03D1 Виробник : Diotec Semiconductor di030n03d1.pdf DI030N03D1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI030N03D1 DI030N03D1 Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA96C50EF475B0E0C4&compId=di030n03d1.pdf?ci_sign=751336004fa5d21e9887257305e741a1828f6a7a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; Idm: 80A; 40W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 40W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17.5nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI030N03D1 DI030N03D1 Виробник : Diotec Semiconductor di030n03d1.pdf Description: MOSFET DPAK N 30V 0.01OHM 175C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI030N03D1 DI030N03D1 Виробник : Diotec Semiconductor di030n03d1.pdf MOSFETs MOSFET, DPAK, 30V, 30A, 175C, N
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI030N03D1 DI030N03D1 Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA96C50EF475B0E0C4&compId=di030n03d1.pdf?ci_sign=751336004fa5d21e9887257305e741a1828f6a7a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; Idm: 80A; 40W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 40W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17.5nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.