Продукція > DIOTEC SEMICONDUCTOR > DI035N10PT-AQ
DI035N10PT-AQ

DI035N10PT-AQ DIOTEC SEMICONDUCTOR

di035n10pt.pdf
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; Idm: 130A; 25W; QFN3X3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Power dissipation: 25W
Case: QFN3X3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 130A
Gate charge: 22nC
на замовлення 1830 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+74.97 грн
11+39.56 грн
50+33.71 грн
54+18.08 грн
147+17.07 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 14-30 дні (днів)
Мінімальна партія: 7 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DI035N10PT-AQ DIOTEC SEMICONDUCTOR

Description: MOSFET POWERQFN 3X3 N 100V 35A 0, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 10V, Power Dissipation (Max): 25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-QFN (3x3), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 15 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DI035N10PT-AQ за ціною від 17.30 грн до 86.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DI035N10PT-AQ DI035N10PT-AQ Diotec Semiconductor di035n10pt.pdf Description: MOSFET POWERQFN 3X3 N 100V 35A 0
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.90 грн
10+51.04 грн
50+37.73 грн
100+31.38 грн
500+24.30 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI035N10PT-AQ DI035N10PT-AQ Diotec Semiconductor di035n10pt.pdf MOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, 100V, 35A, 150C, N, AEC-Q101
на замовлення 1383 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
4+86.02 грн
10+41.44 грн
100+31.90 грн
500+24.75 грн
2500+23.25 грн
5000+18.28 грн
10000+17.30 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI035N10PT-AQ DI035N10PT-AQ DIOTEC 4408121.pdf Description: DIOTEC - DI035N10PT-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.018 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DI035N10PT-AQ di035n10pt.pdf
DI035N10PT-AQ
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET POWERQFN 3X3 N 100V 35A 0
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+84.90 грн
10+51.04 грн
50+37.73 грн
100+31.38 грн
500+24.30 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI035N10PT-AQ di035n10pt.pdf
DI035N10PT-AQ
Виробник: Diotec Semiconductor
MOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, 100V, 35A, 150C, N, AEC-Q101
на замовлення 1383 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+86.02 грн
10+41.44 грн
100+31.90 грн
500+24.75 грн
2500+23.25 грн
5000+18.28 грн
10000+17.30 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI035N10PT-AQ 4408121.pdf
DI035N10PT-AQ
Виробник: DIOTEC
Description: DIOTEC - DI035N10PT-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.018 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.