Продукція > DIOTEC > DI035N10PT-AQ
DI035N10PT-AQ

DI035N10PT-AQ DIOTEC

4408121.pdf Виробник: DIOTEC
Description: DIOTEC - DI035N10PT-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.018 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
26+34.86 грн
28+31.93 грн
100+27.39 грн
500+21.64 грн
1000+18.07 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DI035N10PT-AQ DIOTEC

Description: MOSFET POWERQFN 3X3 N 100V 35A 0, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 10V, Power Dissipation (Max): 25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-QFN (3x3), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 15 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DI035N10PT-AQ за ціною від 16.46 грн до 81.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DI035N10PT-AQ DI035N10PT-AQ Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR di035n10pt.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; Idm: 130A; 25W; QFN3X3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 25W
Case: QFN3X3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+50.70 грн
12+35.35 грн
100+24.53 грн
500+19.41 грн
1000+17.76 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DI035N10PT-AQ DI035N10PT-AQ Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR di035n10pt.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; Idm: 130A; 25W; QFN3X3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 25W
Case: QFN3X3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.84 грн
10+44.05 грн
100+29.43 грн
500+23.29 грн
1000+21.31 грн
2000+19.52 грн
5000+19.23 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DI035N10PT-AQ DI035N10PT-AQ Виробник : Diotec Semiconductor di035n10pt.pdf MOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, 100V, 35A, 150C, N, AEC-Q101
на замовлення 2015 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+77.98 грн
10+60.45 грн
100+31.48 грн
500+31.24 грн
1000+30.21 грн
2500+26.72 грн
5000+25.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DI035N10PT-AQ DI035N10PT-AQ Виробник : Diotec Semiconductor di035n10pt.pdf Description: MOSFET POWERQFN 3X3 N 100V 35A 0
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+81.48 грн
10+49.14 грн
100+32.28 грн
500+23.45 грн
1000+21.25 грн
2000+19.40 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DI035N10PT-AQ Виробник : Diotec Semiconductor di035n10pt.pdf MOSFET, PowerQFN 3x3, 100V, 35A, 0, 25W
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+16.46 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
DI035N10PT-AQ DI035N10PT-AQ Виробник : Diotec Semiconductor di035n10pt.pdf Description: MOSFET POWERQFN 3X3 N 100V 35A 0
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.