Продукція > DIOTEC SEMICONDUCTOR > DI035N10PT-AQ
DI035N10PT-AQ

DI035N10PT-AQ DIOTEC SEMICONDUCTOR

di035n10pt.pdf
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; Idm: 130A; 25W; QFN3X3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 25W
Case: QFN3X3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+62.50 грн
10+44.27 грн
100+28.94 грн
500+22.22 грн
1000+20.15 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DI035N10PT-AQ DIOTEC SEMICONDUCTOR

Description: MOSFET POWERQFN 3X3 N 100V 35A 0, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 10V, Power Dissipation (Max): 25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-QFN (3x3), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 15 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DI035N10PT-AQ за ціною від 17.45 грн до 73.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DI035N10PT-AQ DI035N10PT-AQ Diotec Semiconductor di035n10pt.pdf Description: MOSFET POWERQFN 3X3 N 100V 35A 0
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.62 грн
10+44.25 грн
100+29.03 грн
500+21.09 грн
1000+19.11 грн
2000+17.45 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI035N10PT-AQ DI035N10PT-AQ Diotec Semiconductor di035n10pt.pdf MOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, 100V, 35A, 150C, N, AEC-Q101
на замовлення 1687 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DI035N10PT-AQ di035n10pt.pdf
DI035N10PT-AQ
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET POWERQFN 3X3 N 100V 35A 0
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+73.62 грн
10+44.25 грн
100+29.03 грн
500+21.09 грн
1000+19.11 грн
2000+17.45 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI035N10PT-AQ di035n10pt.pdf
DI035N10PT-AQ
Виробник: Diotec Semiconductor
MOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, 100V, 35A, 150C, N, AEC-Q101
на замовлення 1687 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.