Продукція > DIOTEC SEMICONDUCTOR > DI035N10PT-AQ
DI035N10PT-AQ

DI035N10PT-AQ DIOTEC SEMICONDUCTOR

di035n10pt.pdf
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; Idm: 130A; 25W; QFN3X3
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 25W
Gate charge: 22nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 35A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Application: automotive industry
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: QFN3X3
на замовлення 1830 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+63.22 грн
10+44.78 грн
100+29.27 грн
500+22.48 грн
1000+20.38 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DI035N10PT-AQ DIOTEC SEMICONDUCTOR

Description: MOSFET POWERQFN 3X3 N 100V 35A 0, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 10V, Power Dissipation (Max): 25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-QFN (3x3), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 15 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DI035N10PT-AQ за ціною від 23.65 грн до 82.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DI035N10PT-AQ DI035N10PT-AQ Diotec Semiconductor di035n10pt.pdf Description: MOSFET POWERQFN 3X3 N 100V 35A 0
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.30 грн
10+49.66 грн
50+36.71 грн
100+30.54 грн
500+23.65 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI035N10PT-AQ DI035N10PT-AQ Diotec Semiconductor di035n10pt.pdf MOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, 100V, 35A, 150C, N, AEC-Q101
на замовлення 1673 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DI035N10PT-AQ DI035N10PT-AQ DIOTEC 4408121.pdf Description: DIOTEC - DI035N10PT-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.018 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DI035N10PT-AQ di035n10pt.pdf
DI035N10PT-AQ
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET POWERQFN 3X3 N 100V 35A 0
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+82.30 грн
10+49.66 грн
50+36.71 грн
100+30.54 грн
500+23.65 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI035N10PT-AQ di035n10pt.pdf
DI035N10PT-AQ
Виробник: Diotec Semiconductor
MOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, 100V, 35A, 150C, N, AEC-Q101
на замовлення 1673 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DI035N10PT-AQ 4408121.pdf
DI035N10PT-AQ
Виробник: DIOTEC
Description: DIOTEC - DI035N10PT-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.018 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.