DI035P04PT-AQ DIOTEC
Виробник: DIOTECDescription: DIOTEC - DI035P04PT-AQ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 35 A, 0.019 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
на замовлення 4954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 30.11 грн |
| 500+ | 21.78 грн |
| 1000+ | 16.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DI035P04PT-AQ DIOTEC
Description: MOSFET, POWERQFN 3X3, -40V, -35A, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 40W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-QFN (3x3), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2570 pF @ 20 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції DI035P04PT-AQ за ціною від 13.08 грн до 73.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DI035P04PT-AQ | Виробник : Diotec Semiconductor |
MOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, -40V, -35A, 150C, P, AEC-Q101 |
на замовлення 1430 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
DI035P04PT-AQ | Виробник : Diotec Semiconductor |
Description: MOSFET, POWERQFN 3X3, -40V, -35APackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-QFN (3x3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2570 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1516 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
DI035P04PT-AQ | Виробник : DIOTEC |
Description: DIOTEC - DI035P04PT-AQ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 35 A, 0.019 ohm, QFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: QFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 4954 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| DI035P04PT-AQ | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
DI035P04PT-AQ-DIO SMD P channel transistors |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| DI035P04PT-AQ | Виробник : Diotec Semiconductor |
MOSFET, PowerQFN 3x3, -40V, -35A, 0, 25W |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
DI035P04PT-AQ | Виробник : Diotec Semiconductor |
Description: MOSFET, POWERQFN 3X3, -40V, -35APackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-QFN (3x3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2570 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
