Технічний опис DI040N03PT Diotec Semiconductor
Description: DIOTEC - DI040N03PT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 22 A, 5400 µohm, MLPAK33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 22A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 4.5W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: MLPAK33, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm.
Інші пропозиції DI040N03PT
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
DI040N03PT | Diotec Semiconductor |
 MOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, 30V, 40A, 150C, N |
на замовлення 4985 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
DI040N03PT | DIOTEC |
Description: DIOTEC - DI040N03PT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 22 A, 5400 µohm, MLPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 4.5W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: MLPAK33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
| DI040N03PT |
|
Виробник: Diotec Semiconductor
MOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, 30V, 40A, 150C, N
MOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, 30V, 40A, 150C, N
на замовлення 4985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| DI040N03PT |
|
Виробник: DIOTEC
Description: DIOTEC - DI040N03PT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 22 A, 5400 µohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 4.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
Description: DIOTEC - DI040N03PT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 22 A, 5400 µohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 4.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)