DI040N10D1 Diotec Semiconductor
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 40A TO-252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DI040N10D1 Diotec Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 40A TO-252-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 28A, 10V, Power Dissipation (Max): 140W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V.
Інші пропозиції DI040N10D1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
DI040N10D1 | Diotec Semiconductor |
MOSFETs DPAK, N, 100V, 40A, 15m?, 175C |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. |
| DI040N10D1 |
![]() |
Виробник: Diotec Semiconductor
MOSFETs DPAK, N, 100V, 40A, 15m?, 175C
MOSFETs DPAK, N, 100V, 40A, 15m?, 175C
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.


