Продукція > DIOTEC > DI040P04PT-AQ
DI040P04PT-AQ

DI040P04PT-AQ DIOTEC

4408125.pdf Виробник: DIOTEC
Description: DIOTEC - DI040P04PT-AQ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 A, 0.015 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31.2W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+49.19 грн
19+44.98 грн
100+38.71 грн
500+30.58 грн
1000+25.54 грн
5000+24.90 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DI040P04PT-AQ DIOTEC

Description: MOSFET, POWERQFN 3X3, -40V, -40A, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 22.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-QFN (3x3), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3538 pF @ 20 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DI040P04PT-AQ за ціною від 22.48 грн до 93.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DI040P04PT-AQ DI040P04PT-AQ Виробник : Diotec Semiconductor Description: MOSFET, POWERQFN 3X3, -40V, -40A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 22.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3538 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.11 грн
10+56.33 грн
100+37.13 грн
500+27.08 грн
1000+24.58 грн
2000+22.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DI040P04PT-AQ Виробник : Diotec Semiconductor di040p04pt.pdf MOSFET, PowerQFN 3x3, -40V, -35A, 0, 25W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI040P04PT-AQ Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR DI040P04PT-AQ-DIO SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI040P04PT-AQ DI040P04PT-AQ Виробник : Diotec Semiconductor Description: MOSFET, POWERQFN 3X3, -40V, -40A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 22.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3538 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI040P04PT-AQ DI040P04PT-AQ Виробник : Diotec Semiconductor MOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, -40V, -40A, 150C, P, AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.