DI045N10PQ-AQ DIOTEC
Виробник: DIOTECDescription: DIOTEC - DI045N10PQ-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 45 A, 0.0065 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 104.56 грн |
| 11+ | 80.85 грн |
| 100+ | 68.58 грн |
| 500+ | 53.13 грн |
| 1000+ | 44.88 грн |
| 5000+ | 42.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DI045N10PQ-AQ DIOTEC
Description: DIOTEC - DI045N10PQ-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 45 A, 0.0065 ohm, QFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 45A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: QFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DI045N10PQ-AQ за ціною від 59.37 грн до 196.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DI045N10PQ-AQ | Виробник : Diotec Semiconductor |
MOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 100V, 45A, 150C, N, AEC-Q101 |
на замовлення 4880 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| DI045N10PQ-AQ | Виробник : Diotec Semiconductor |
N-Channel Power MOSFETN-Kanal Leistungs-MOSFETAEC-Q101 qualification |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
 |
DI045N10PQ-AQ | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 39A; Idm: 400A; 40W; QFN5x6 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 39A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 40W Case: QFN5x6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 56nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
DI045N10PQ-AQ | Виробник : Diotec Semiconductor |
Description: MOSFET PWRQFN 5X6 100V 0.0065OHM Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A Power Dissipation (Max): 110W Supplier Device Package: PowerQFN 5x6 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
DI045N10PQ-AQ | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 39A; Idm: 400A; 40W; QFN5x6 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 39A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 40W Case: QFN5x6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 56nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry |
товару немає в наявності |