DI045N10PT-AQ Diotec Semiconductor
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET, POWERQFN 3X3, N, 100 V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1685 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 27.86 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
5000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DI045N10PT-AQ Diotec Semiconductor
Description: MOSFET, POWERQFN 3X3, N, 100 V,, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 54W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-QFN (3x3), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1685 pF @ 50 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції DI045N10PT-AQ за ціною від 25.51 грн до 111.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DI045N10PT-AQ | Diotec Semiconductor |
MOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, N, 100 V, 45 A, 9.5 m, 150C, AEC-Q101 |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DI045N10PT-AQ | Diotec Semiconductor |
Description: MOSFET, POWERQFN 3X3, N, 100 V, Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 54W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-QFN (3x3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1685 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| DI045N10PT-AQ |
|
Виробник: Diotec Semiconductor
MOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, N, 100 V, 45 A, 9.5 m, 150C, AEC-Q101
MOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, N, 100 V, 45 A, 9.5 m, 150C, AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 79.44 грн |
| 10+ | 56.30 грн |
| 100+ | 36.57 грн |
| 500+ | 32.69 грн |
| 1000+ | 32.18 грн |
| 2500+ | 30.20 грн |
| 5000+ | 25.51 грн |
| DI045N10PT-AQ |
|
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET, POWERQFN 3X3, N, 100 V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1685 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET, POWERQFN 3X3, N, 100 V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1685 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 111.32 грн |
| 10+ | 67.74 грн |
| 100+ | 45.13 грн |
| 500+ | 33.24 грн |
| 1000+ | 30.31 грн |
| 2000+ | 27.84 грн |