DI048N04PT-AQ DIOTEC
Виробник: DIOTECDescription: DIOTEC - DI048N04PT-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 48 A, 7600 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37.5W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 29.32 грн |
| 500+ | 21.98 грн |
| 1000+ | 16.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DI048N04PT-AQ DIOTEC
Description: DIOTEC - DI048N04PT-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 48 A, 7600 µohm, QFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 48A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 37.5W, Bauform - Transistor: QFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції DI048N04PT-AQ за ціною від 11.56 грн до 82.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DI048N04PT-AQ | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 35A; Idm: 200A; 37.5W; QFN3X3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 35A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 37.5W Case: QFN3X3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 48.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DI048N04PT-AQ | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 35A; Idm: 200A; 37.5W; QFN3X3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 35A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 37.5W Case: QFN3X3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 48.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DI048N04PT-AQ | Виробник : Diotec Semiconductor |
Description: MOSFET, POWERQFN 3X3, 40V, 48A, Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-QFN (3x3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2268 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 4129 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DI048N04PT-AQ | Виробник : DIOTEC |
Description: DIOTEC - DI048N04PT-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 48 A, 7600 µohm, QFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 48A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 37.5W Bauform - Transistor: QFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 4875 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DI048N04PT-AQ | Виробник : Diotec Semiconductor |
MOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, 40V, 48A, 150C, N, AEC-Q101 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| DI048N04PT-AQ | Виробник : Diotec Semiconductor |
MOSFET, PowerAEC-Q Qualified |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
DI048N04PT-AQ | Виробник : Diotec Semiconductor |
Description: MOSFET, POWERQFN 3X3, 40V, 48A, Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-QFN (3x3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2268 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |