Продукція > DIOTEC SEMICONDUCTOR > DI048N04PT-AQ
DI048N04PT-AQ

DI048N04PT-AQ DIOTEC SEMICONDUCTOR

4408127.pdf
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DI048N04PT-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 48 A, 7600 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37.5W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+26.09 грн
500+19.44 грн
1000+16.64 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DI048N04PT-AQ DIOTEC SEMICONDUCTOR

Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DI048N04PT-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 48 A, 7600 µohm, QFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 48A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 37.5W, Bauform - Transistor: QFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції DI048N04PT-AQ за ціною від 10.91 грн до 63.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DI048N04PT-AQ DI048N04PT-AQ Diotec Semiconductor di048n04pt.pdf MOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, 40V, 48A, 150C, N, AEC-Q101
на замовлення 4742 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+55.41 грн
10+36.60 грн
100+20.23 грн
500+16.29 грн
1000+13.60 грн
2500+13.39 грн
5000+10.91 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI048N04PT-AQ DI048N04PT-AQ DIOTEC SEMICONDUCTOR 4408127.pdf Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DI048N04PT-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 48 A, 7600 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37.5W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+61.21 грн
20+40.99 грн
100+26.09 грн
500+19.44 грн
1000+16.64 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI048N04PT-AQ DI048N04PT-AQ Diotec Semiconductor di048n04pt.pdf Description: MOSFET, POWERQFN 3X3, 40V, 48A,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2268 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.68 грн
10+37.99 грн
100+24.66 грн
500+17.76 грн
1000+16.02 грн
2000+14.56 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI048N04PT-AQ Diotec Semiconductor di048n04pt.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 48 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 2268 @ 25, Qg, нКл = 48,5, Rds = 7,6 мОм, Ugs(th) = 2,5, Р, Вт = 31, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: PowerVDFN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 5000 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
5000+44.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI048N04PT-AQ di048n04pt.pdf
DI048N04PT-AQ
Виробник: Diotec Semiconductor
MOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, 40V, 48A, 150C, N, AEC-Q101
на замовлення 4742 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+55.41 грн
10+36.60 грн
100+20.23 грн
500+16.29 грн
1000+13.60 грн
2500+13.39 грн
5000+10.91 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI048N04PT-AQ 4408127.pdf
DI048N04PT-AQ
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DI048N04PT-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 48 A, 7600 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37.5W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+61.21 грн
20+40.99 грн
100+26.09 грн
500+19.44 грн
1000+16.64 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI048N04PT-AQ di048n04pt.pdf
DI048N04PT-AQ
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET, POWERQFN 3X3, 40V, 48A,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2268 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+63.68 грн
10+37.99 грн
100+24.66 грн
500+17.76 грн
1000+16.02 грн
2000+14.56 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI048N04PT-AQ di048n04pt.pdf
Виробник: Diotec Semiconductor
N-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 48 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 2268 @ 25, Qg, нКл = 48,5, Rds = 7,6 мОм, Ugs(th) = 2,5, Р, Вт = 31, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: PowerVDFN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 5000 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+44.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.