Продукція > DIOTEC > DI048N04PT-AQ
DI048N04PT-AQ

DI048N04PT-AQ DIOTEC

4408127.pdf Виробник: DIOTEC
Description: DIOTEC - DI048N04PT-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 48 A, 7600 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37.5W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+28.32 грн
500+21.22 грн
1000+17.98 грн
5000+16.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DI048N04PT-AQ DIOTEC

Description: MOSFET, POWERQFN 3X3, 40V, 48A,, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 31W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-QFN (3x3), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2268 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DI048N04PT-AQ за ціною від 11.17 грн до 80.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DI048N04PT-AQ DI048N04PT-AQ Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF9593DF242471C0D6&compId=di048n04pt.pdf?ci_sign=55c805ac016989efe88f0c771f5387e0d3bbc210 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 35A; Idm: 200A; 37.5W; QFN3X3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 37.5W
Case: QFN3X3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+46.91 грн
14+28.75 грн
100+19.17 грн
500+14.89 грн
1000+13.54 грн
2000+12.35 грн
5000+11.17 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DI048N04PT-AQ DI048N04PT-AQ Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF9593DF242471C0D6&compId=di048n04pt.pdf?ci_sign=55c805ac016989efe88f0c771f5387e0d3bbc210 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 35A; Idm: 200A; 37.5W; QFN3X3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 37.5W
Case: QFN3X3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.29 грн
10+35.82 грн
100+23.00 грн
500+17.87 грн
1000+16.25 грн
2000+14.83 грн
5000+13.40 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DI048N04PT-AQ DI048N04PT-AQ Виробник : Diotec Semiconductor di048n04pt.pdf Description: MOSFET, POWERQFN 3X3, 40V, 48A,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2268 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+64.15 грн
10+38.17 грн
100+24.80 грн
500+17.86 грн
1000+16.11 грн
2000+14.64 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DI048N04PT-AQ DI048N04PT-AQ Виробник : DIOTEC 4408127.pdf Description: DIOTEC - DI048N04PT-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 48 A, 7600 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37.5W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+66.27 грн
20+43.50 грн
100+28.32 грн
500+21.22 грн
1000+17.98 грн
5000+16.38 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DI048N04PT-AQ DI048N04PT-AQ Виробник : Diotec Semiconductor di048n04pt.pdf MOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, 40V, 48A, 150C, N, AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+80.01 грн
10+57.79 грн
100+34.06 грн
500+27.14 грн
1000+21.74 грн
5000+19.92 грн
10000+18.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DI048N04PT-AQ Виробник : Diotec Semiconductor di048n04pt.pdf MOSFET, PowerAEC-Q Qualified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI048N04PT-AQ DI048N04PT-AQ Виробник : Diotec Semiconductor di048n04pt.pdf Description: MOSFET, POWERQFN 3X3, 40V, 48A,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2268 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.