Продукція > DIOTEC SEMICONDUCTOR > DI048N04PT-AQ
DI048N04PT-AQ

DI048N04PT-AQ DIOTEC SEMICONDUCTOR

di048n04pt.pdf
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 35A; Idm: 200A; 37.5W; QFN3X3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 37.5W
Case: QFN3X3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 48.5nC
Application: automotive industry
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+50.15 грн
14+30.02 грн
50+25.31 грн
74+12.82 грн
203+12.16 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 14-30 дні (днів)
Мінімальна партія: 9 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DI048N04PT-AQ DIOTEC SEMICONDUCTOR

Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DI048N04PT-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 48 A, 7600 µohm, QFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 48A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 37.5W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: QFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm.

Інші пропозиції DI048N04PT-AQ за ціною від 11.58 грн до 63.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DI048N04PT-AQ DI048N04PT-AQ Diotec Semiconductor di048n04pt.pdf MOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, 40V, 48A, 150C, N, AEC-Q101
на замовлення 4742 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
6+58.83 грн
10+38.86 грн
100+21.48 грн
500+17.30 грн
1000+14.44 грн
2500+14.22 грн
5000+11.58 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI048N04PT-AQ DI048N04PT-AQ Diotec Semiconductor di048n04pt.pdf Description: MOSFET, POWERQFN 3X3, 40V, 48A,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2268 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.39 грн
10+37.82 грн
100+24.55 грн
500+17.67 грн
1000+15.95 грн
2000+14.49 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI048N04PT-AQ DI048N04PT-AQ DIOTEC SEMICONDUCTOR 4408127.pdf Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DI048N04PT-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 48 A, 7600 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 37.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm
на замовлення 4850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DI048N04PT-AQ DI048N04PT-AQ DIOTEC SEMICONDUCTOR 4408127.pdf Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DI048N04PT-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 48 A, 7600 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 37.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm
на замовлення 4850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI048N04PT-AQ Diotec Semiconductor di048n04pt.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 48 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 2268 @ 25, Qg, нКл = 48,5, Rds = 7,6 мОм, Ugs(th) = 2,5, Р, Вт = 31, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: PowerVDFN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 5000 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
5000+44.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI048N04PT-AQ di048n04pt.pdf
DI048N04PT-AQ
Виробник: Diotec Semiconductor
MOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, 40V, 48A, 150C, N, AEC-Q101
на замовлення 4742 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+58.83 грн
10+38.86 грн
100+21.48 грн
500+17.30 грн
1000+14.44 грн
2500+14.22 грн
5000+11.58 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI048N04PT-AQ di048n04pt.pdf
DI048N04PT-AQ
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET, POWERQFN 3X3, 40V, 48A,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2268 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+63.39 грн
10+37.82 грн
100+24.55 грн
500+17.67 грн
1000+15.95 грн
2000+14.49 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI048N04PT-AQ 4408127.pdf
DI048N04PT-AQ
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DI048N04PT-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 48 A, 7600 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 37.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm
на замовлення 4850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DI048N04PT-AQ 4408127.pdf
DI048N04PT-AQ
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DI048N04PT-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 48 A, 7600 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 37.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm
на замовлення 4850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI048N04PT-AQ di048n04pt.pdf
Виробник: Diotec Semiconductor
N-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 48 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 2268 @ 25, Qg, нКл = 48,5, Rds = 7,6 мОм, Ugs(th) = 2,5, Р, Вт = 31, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: PowerVDFN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 5000 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+44.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.