Продукція > DIOTEC > DI048N04PT-AQ
DI048N04PT-AQ

DI048N04PT-AQ DIOTEC

4408127.pdf Виробник: DIOTEC
Description: DIOTEC - DI048N04PT-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 48 A, 0.0076 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
150+32.92 грн
500+26.00 грн
1000+21.67 грн
5000+21.17 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DI048N04PT-AQ DIOTEC

Description: MOSFET, POWERQFN 3X3, 40V, 48A,, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 31W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-QFN (3x3), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2268 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DI048N04PT-AQ за ціною від 18.15 грн до 79.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DI048N04PT-AQ DI048N04PT-AQ Виробник : DIOTEC 4408127.pdf Description: DIOTEC - DI048N04PT-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 48 A, 0.0076 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37.5W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0076ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+41.75 грн
23+38.27 грн
100+32.92 грн
500+26.00 грн
1000+21.67 грн
5000+21.17 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
DI048N04PT-AQ DI048N04PT-AQ Виробник : Diotec Semiconductor Description: MOSFET, POWERQFN 3X3, 40V, 48A,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2268 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.73 грн
10+44.20 грн
100+30.49 грн
500+22.80 грн
1000+20.89 грн
2000+19.27 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DI048N04PT-AQ DI048N04PT-AQ Виробник : Diotec Semiconductor MOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, 40V, 48A, 150C, N, AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+79.60 грн
10+57.50 грн
100+33.89 грн
500+27.00 грн
1000+21.63 грн
5000+19.82 грн
10000+18.15 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DI048N04PT-AQ Виробник : Diotec Semiconductor di048n04pt.pdf MOSFET, PowerAEC-Q Qualified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI048N04PT-AQ Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR DI048N04PT-AQ-DIO SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI048N04PT-AQ DI048N04PT-AQ Виробник : Diotec Semiconductor Description: MOSFET, POWERQFN 3X3, 40V, 48A,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2268 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.