Продукція > DIOTEC > DI050N04PT-AQ
DI050N04PT-AQ

DI050N04PT-AQ DIOTEC

4408128.pdf Виробник: DIOTEC
Description: DIOTEC - DI050N04PT-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0057 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+42.15 грн
23+38.64 грн
100+33.24 грн
500+26.25 грн
1000+21.88 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DI050N04PT-AQ DIOTEC

Description: MOSFET, POWERQFN 3X3, 40V, 50A,, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 37W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-QFN (3x3), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3255 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DI050N04PT-AQ за ціною від 16.83 грн до 71.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DI050N04PT-AQ DI050N04PT-AQ Виробник : Diotec Semiconductor di050n04pt.pdf Description: MOSFET, POWERQFN 3X3, 40V, 50A,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3255 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.87 грн
10+43.20 грн
100+28.22 грн
500+20.43 грн
1000+18.48 грн
2000+16.83 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DI050N04PT-AQ Виробник : Diotec Semiconductor di050n04pt.pdf MOSFET, PowerQFN 3x3, 40V, 50A, 0, 37W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI050N04PT-AQ DI050N04PT-AQ Виробник : Diotec Semiconductor di050n04pt.pdf Description: MOSFET, POWERQFN 3X3, 40V, 50A,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3255 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI050N04PT-AQ DI050N04PT-AQ Виробник : Diotec Semiconductor di050n04pt.pdf MOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, 40V, 50A, 150C, N, AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI050N04PT-AQ DI050N04PT-AQ Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCA6AAC67A829740CE&compId=di050n04pt.pdf?ci_sign=0d712eba177f99088c971cb39cecfbafbcea130b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; Idm: 140A; 37W; QFN3X3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 37W
Case: QFN3X3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 59nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.