DI050N04PT-AQ DIOTEC SEMICONDUCTOR
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DI050N04PT-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 5700 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 32.86 грн |
| 500+ | 24.38 грн |
| 1000+ | 20.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DI050N04PT-AQ DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DI050N04PT-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 5700 µohm, QFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 30W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: QFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm.
Інші пропозиції DI050N04PT-AQ
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DI050N04PT-AQ | Diotec Semiconductor |
Description: MOSFET, POWERQFN 3X3, 40V, 50A,Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-QFN (3x3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3255 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 4475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
DI050N04PT-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DI050N04PT-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 5700 µohm, QFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 30W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: QFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm |
на замовлення 4881 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| DI050N04PT-AQ | Diotec Semiconductor |
N-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 50 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 3255, Qg, нКл = 59, Rds = 6,5 мОм, Ugs(th) = 1,7, Р, Вт = 37, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: PowerQFN 3x3 Од. вим: шткількість в упаковці: 5000 шт |
на замовлення 4 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
| DI050N04PT-AQ |
![]() |
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET, POWERQFN 3X3, 40V, 50A,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3255 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET, POWERQFN 3X3, 40V, 50A,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3255 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 72.23 грн |
| 10+ | 43.68 грн |
| 100+ | 28.54 грн |
| 500+ | 20.66 грн |
| 1000+ | 18.68 грн |
| 2000+ | 17.02 грн |
| DI050N04PT-AQ |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DI050N04PT-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 5700 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DI050N04PT-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 5700 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm
на замовлення 4881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 96.65 грн |
| 18+ | 46.63 грн |
| 100+ | 32.86 грн |
| 500+ | 24.38 грн |
| 1000+ | 20.64 грн |
| DI050N04PT-AQ |
![]() |
Виробник: Diotec Semiconductor
N-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 50 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 3255, Qg, нКл = 59, Rds = 6,5 мОм, Ugs(th) = 1,7, Р, Вт = 37, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: PowerQFN 3x3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 5000 шт
N-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 50 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 3255, Qg, нКл = 59, Rds = 6,5 мОм, Ugs(th) = 1,7, Р, Вт = 37, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: PowerQFN 3x3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 5000 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 55.60 грн |



