
DI050N04PT-AQ DIOTEC

Description: DIOTEC - DI050N04PT-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0057 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
21+ | 40.60 грн |
23+ | 37.22 грн |
100+ | 32.02 грн |
500+ | 25.29 грн |
1000+ | 21.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DI050N04PT-AQ DIOTEC
Description: MOSFET, POWERQFN 3X3, 40V, 50A,, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 37W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-QFN (3x3), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3255 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції DI050N04PT-AQ за ціною від 16.83 грн до 73.21 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DI050N04PT-AQ | Виробник : Diotec Semiconductor |
Description: MOSFET, POWERQFN 3X3, 40V, 50A, Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-QFN (3x3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3255 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 4930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
DI050N04PT-AQ | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
DI050N04PT-AQ | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR | DI050N04PT-AQ-DIO SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
![]() |
DI050N04PT-AQ | Виробник : Diotec Semiconductor |
Description: MOSFET, POWERQFN 3X3, 40V, 50A, Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-QFN (3x3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3255 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
DI050N04PT-AQ | Виробник : Diotec Semiconductor | MOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, 40V, 50A, 150C, N, AEC-Q101 |
товару немає в наявності |